ZHCAG45 January   2026 LM63615-Q1 , LM63625-Q1 , LM63635-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3. 简介
  4. 反向电流的产生
  5. EOS失效案例
  6. 原因可能性
  7. EVM测试
  8. 反向电流的产生与失效过程
  9. 数据验证
  10. 设计建议
  11. 小结
  12. 10参考文献:

原因可能性

VCC对于芯片的逻辑工作尤为重要,VCC的设计不合理可能会引入噪声,任何的噪声都可能影响控制的逻辑错误,这就会存在交叉传导的风险。VCC作为CBOOT的充能电容,CBOOT则为半桥中上管驱动偏置电压,在控制逻辑中起着非常重要的功能。

 LM63635-Q1功能框图 图 4-1 LM63635-Q1功能框图

图 4-1 可以看到,VCC取自VIN线性降压而来,VIN的任何噪声都有可能传导至VCC处,如图 4-2 TI建议在VCC处不加载任何外部电路的同时,需要添加1uF的优质电容用于去耦滤波,建议参考LM63635-Q1EVM使用X7R的MLCC电容。

 LM63635-Q1数据表VCC设计建议 图 4-2 LM63635-Q1数据表VCC设计建议

在Layout的设计上,TI建议在靠近 VCC 引脚的位置放置一个 VCC 旁路电容器。 该电容器必须尽可能靠近器件放置,并使用短而宽的布线连接到 VCC 和 PGND 引脚,不建议在该区域进行散热。

对于这个案例,TI的产品线对设计的原理图及Layout进行严格的审查后,该案例的设计完全符合原理图及Layout的设计要求,基本排除了VCC的设计不合理导致的控制逻辑异常。所以,接下来将从反向电流的角度来分析该失效。