ZHCAG17 December   2025 TPS61381-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2TPS61381-Q1 原理图指南
    1. 2.1 GND 连接
    2. 2.2 驱动程序设计
    3. 2.3 IO 配置
    4. 2.4 输出电容器
    5. 2.5 补偿设计
      1. 2.5.1 微小信号分析
      2. 2.5.2 分步环路补偿设计
  6. 3TPS61381-Q1 布局指南
    1. 3.1 识别关键开关环路
      1. 3.1.1 低侧驱动程序环路
      2. 3.1.2 升压桥臂开关环路
      3. 3.1.3 高侧驱动程序环路
    2. 3.2 电源元件放置
    3. 3.3 布局示例
      1. 3.3.1 低侧驱动程序器环路优化示例
      2. 3.3.2 升压桥臂开关环路优化示例
      3. 3.3.3 高侧驱动程序器环路优化示例
      4. 3.3.4 信号电路布线示例
  7. 4摘要
  8. 5参考资料

2.2 驱动程序设计

TPS61381-Q1 通过栅极电阻器 (R5) 调节驱动程序器速度。对于多数 MOSFET，1Ω 的阻值已足够；但如果 Qgd 低于 3nC，应选用更大的阻值 (1-2Ω)。

TPS61381-Q1 驱动程序设计图 2-2 TPS61381-Q1 驱动程序设计

如果 MOSFET 的 Qgd 超过 10nC，则电阻值不得低于 1Ω。驱动速度过慢会导致效率下降，甚至可能导致功率 FET 发生贯通。

R5 必须能够承受驱动损耗产生的热量，因此不应为 R5 选择封装过小的器件。驱动损耗可通过以下方式计算：

方程式 1. P g l o s s = Q g V C C f s w

其中，VCC 可取 5V。