ZHCAG17 December   2025 TPS61381-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2TPS61381-Q1 原理图指南
    1. 2.1 GND 连接
    2. 2.2 驱动程序设计
    3. 2.3 IO 配置
    4. 2.4 输出电容器
    5. 2.5 补偿设计
      1. 2.5.1 微小信号分析
      2. 2.5.2 分步环路补偿设计
  6. 3TPS61381-Q1 布局指南
    1. 3.1 识别关键开关环路
      1. 3.1.1 低侧驱动程序环路
      2. 3.1.2 升压桥臂开关环路
      3. 3.1.3 高侧驱动程序环路
    2. 3.2 电源元件放置
    3. 3.3 布局示例
      1. 3.3.1 低侧驱动程序器环路优化示例
      2. 3.3.2 升压桥臂开关环路优化示例
      3. 3.3.3 高侧驱动程序器环路优化示例
      4. 3.3.4 信号电路布线示例
  7. 4摘要
  8. 5参考资料

3.1.1 低侧驱动程序环路

驱动程序环路是所有开关稳压器中最关键的环路之一。当 IC 打开 MOSFET 时，电流从 VCC 电容，经由内部驱动程序和栅极电阻器，对低侧 MOSFET 的栅极电容进行充电。返回电流从低侧 MOSFET(PGND) 的源极流出，经由 Net-Tie 到 VCC 电容器 (AGND)，然后再回到 VCC。当 IC 关闭 MOSFET 时，低侧 MOSFET 的栅极电容开始放电。此时电流从 MOSFET 栅极，经由栅极电阻器流入 LO 引脚，最终流向 AGND 引脚。回流电流会从 IC 的 AGND 引脚流出，通过 Net-Tie，然后返回到 MOSFET 栅极电容 (PGND)。这些充电与放电电流发生在数 ns 内，其峰值电流可高达 2A。因此，该电流环路中的寄生电感可能会在 MOSFET 栅极上产生振铃，从而影响驱动器的驱动效果。如果布局设计不够精心，开关振铃甚至可能导致升压桥臂直通，从而损坏器件。低侧驱动程序的电流路径如 图 3-1 所示。

TPS61381-Q1 低侧驱动程序器电流路径图 3-1 TPS61381-Q1 低侧驱动程序器电流路径