ZHCAG08 November 2025 MSPM0G3507 , MSPM0L1306
NONMAIN 区域也支持通过 FLASHCTL 进行动态修改,该功能广泛应用于应用程序代码和自定义引导加载程序中。图 5-1 和 SDK 示例提供了在应用程序代码中修改 NONMAIN 闪存字段的通用流程,可供用户参考。
编程 NONMAIN 存储器时需要 ECC 代码,因为引导代码会通过 ECC 校验读取 NONMAIN 存储器。每次修改 NONMAIN 寄存器都需要用户擦除整个 NONMAIN 扇区,并加载整个 NONMAIN 配置寄存器的新值。
TI 建议在安全状态下擦除 NONMAIN 字段并对其进行编程。在应用程序代码中频繁更新 NONMAIN 配置会引入该字段变空(不稳定的电源等)的风险。