ZHCAG08 November 2025 MSPM0G3507 , MSPM0L1306
图 1-1 展示了所有 MSPM0 器件共享的通用平台存储器映射。该映射具有四个不同的存储器区域。
MAIN 闪存是存储可执行代码和数据的存储器。MSPM0 器件支持单存储体或双存储体 MAIN 闪存,请参阅器件特定数据表了解更多详细信息。
NONMAIN 是闪存中的一个专用区域,存储着引导配置例程 (BCR) 和引导加载程序 (BSL) 配置用于引导器件的数据。BCR 和 BSL 具有配置策略,这些策略可以保留为默认值(在开发和评估期间是典型值),也可以通过更改编程到 NONMAIN 闪存区域中的值来针对特定用途进行修改(在生产编程期间是典型值)。
FACTORY 区域是一个存储器映射闪存区域,该区域提供描述器件功能的只读数据以及任何出厂提供的修整信息,供应用软件使用。
只读存储器 (ROM) 包含一个不可变的信任根引导配置例程 (BCR) 和引导加载程序 (BSL)。在主应用程序启动前,BCR 始终是紧跟器件的 BOOTRST 之后在 Cortex-M0+ 处理器上运行的第一个代码。BCR 还会通过硬件或软件调用引导加载程序 (BSL) 并授权 BSL 访问。图 1-2 展示了 MSPM0 器件的大体引导流程。有关更多详细信息,请参阅 MSPM0 MCU 中的网络安全机制应用手册。
BCR 会设置器件安全策略,配置器件使其运行,并视需要启动 BSL(如果 ROM 或闪存 BSL 存在)。如果 BCR 启动 BSL,则可使用 BSL 通过标准串行接口(UART 或 I2C)来对器件存储器(闪存和 SRAM)进行编程或验证。