ZHCAFB4 April   2025 TPSI3100 , TPSI3100-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1为何需要 DESAT 保护
    1. 1.1 关于 DESAT 保护的主要注意事项
  5. 2关键 DESAT 电路元件
    1. 2.1 电路启动行为
  6. 3设计示例
    1. 3.1 设计要求
    2. 3.2 阈值公式
    3. 3.3 给定的参数
    4. 3.4 将给定参数代入公式中
    5. 3.5 求解未知数方程
    6. 3.6 选择电阻以满足公式的要求
    7. 3.7 确定消隐电容
    8. 3.8 最终组件值
    9. 3.9 实验室测试
  7. 4结语

2.1 电路启动行为

在 EN 为低电平上电时，TPSI3133 接收电力并开始将电力传输到其次级电源轨（VDDM 和 VDDH）。内部 MOSFET 将比较器输入拉低，以避免误触发。一旦 EN 变为高电平，两个电流路径（路径 1 和 2）将竞争以设置比较器输入电压，如 图 2-1 所示。由于 IGBT 导通延迟，路径 1 通常比路径 2 快，因此一旦 EN 变为高电平，TPSI3133 就会将比较器输入额外下拉保持 100ns，从而让 IGBT 在检测到故障之前完全导通。添加消隐电容 (CBLK) 可以提供额外的延迟，但必须仔细选择，以尽量减少应力时间。在过载情况下，IGBT 的 VCE 上升，导致 HV 二极管阳极上的电压升高，从而触发故障比较器阈值。一旦 TPSI3133 检测到故障，它就会关闭驱动器，进而关闭 IGBT，从而保护系统。

DESAT KVL 路径图 2-1 DESAT KVL 路径