4 结语

正确实现 DESAT 保护可防止破坏性过饱和，从而提高 SiC MOSFET 和 IGBT 的可靠性并延长其使用寿命。通过仔细选择具有 DESAT 保护功能的隔离式栅极驱动器（如 TPSI3133）并计算元件值，设计人员可以优化速度，同时防止误报。本文举例说明了如何选择满足特定 DESAT 设计要求的元件。工程师可以将 DESAT 保护用于功率半导体以防过流事件，从而确保高功率应用的效率和长期性能。