ZHCAFB4 April   2025 TPSI3100 , TPSI3100-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1为何需要 DESAT 保护
    1. 1.1 关于 DESAT 保护的主要注意事项
  5. 2关键 DESAT 电路元件
    1. 2.1 电路启动行为
  6. 3设计示例
    1. 3.1 设计要求
    2. 3.2 阈值公式
    3. 3.3 给定的参数
    4. 3.4 将给定参数代入公式中
    5. 3.5 求解未知数方程
    6. 3.6 选择电阻以满足公式的要求
    7. 3.7 确定消隐电容
    8. 3.8 最终组件值
    9. 3.9 实验室测试
  7. 4结语

1.1 关于 DESAT 保护的主要注意事项

DESAT 保护电路通常使用 IGBT 进行配置，因为 IGBT 在饱和区的电流 (IC) 上表现出不同的电压 (VCE )，这使得检测更容易，更快速地转换到有源区，并且由于芯片尺寸较大，通常能够处理更大的功率（许多都具有耐短路额定值）。

DESAT 还可以用于 SiC MOSFET。低压 MOSFET 的问题是：由于过流阈值的设置通常远高于正常运行水平以避免误报，因此低压 MOSFET 可能会因电路甚至还未检测到过流事件就因过热而损坏。

通过实施 DESAT 保护，工程师可以确保功率半导体保持在安全的工作范围内。