ZHCAFB4 April   2025 TPSI3100 , TPSI3100-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1为何需要 DESAT 保护
    1. 1.1 关于 DESAT 保护的主要注意事项
  5. 2关键 DESAT 电路元件
    1. 2.1 电路启动行为
  6. 3设计示例
    1. 3.1 设计要求
    2. 3.2 阈值公式
    3. 3.3 给定的参数
    4. 3.4 将给定参数代入公式中
    5. 3.5 求解未知数方程
    6. 3.6 选择电阻以满足公式的要求
    7. 3.7 确定消隐电容
    8. 3.8 最终组件值
    9. 3.9 实验室测试
  7. 4结语

摘要

在电力电子设计中，保护 SiC MOSFET 和 IGBT 等功率半导体免受过饱和造成的损坏。当这些器件运行超出其预期的工作区域时，过多的功率耗散会导致热应力和故障。

退饱和 (DESAT) 保护电路通过监控半导体上的电压并在过流事件期间将其关闭来提供具有成本效益的保护功能。本文探讨了 DESAT 保护的工作原理、关键电路元件以及如何使用 TPSI3133 隔离式开关驱动器设计 DESAT 电路。