ZHCAFB4
April 2025
TPSI3100
,
TPSI3100-Q1
1
摘要
商标
1
为何需要 DESAT 保护
1.1
关于 DESAT 保护的主要注意事项
2
关键 DESAT 电路元件
2.1
电路启动行为
3
设计示例
3.1
设计要求
3.2
阈值公式
3.3
给定的参数
3.4
将给定参数代入公式中
3.5
求解未知数方程
3.6
选择电阻以满足公式的要求
3.7
确定消隐电容
3.8
最终组件值
3.9
实验室测试
4
结语
2
关键 DESAT 电路元件
阻断二极管:在 IGBT/SiC MOSFET 关断时保护电路免受高电压影响。
限流电阻 (R
LIM
) 限制二极管正向电流。
DESAT 阈值检测 (R
DIV1
,R
DIV2
):定义了用于检测过饱和的电压阈值。
消隐电容 (C
BLK
):滤除噪声并防止误触发。虽然消隐电容有助于避免误报,但也可能会在过流事件期间延长 IGBT/SiC MOSFET 上的应力时间。