1 为何需要 DESAT 保护

MOSFET 和 IGBT 等功率半导体在完全饱和状态下可实现理想工作状态：MOSFET 的欧姆区域和 IGBT 的饱和区域。MOSFET 的 V_DS 或 IGBT 的 V _CE 两端的电压保持低电平，以最大限度地降低功率耗散。但是，当这些器件进入如 图 1-1 所示的过饱和状态时，电流的小幅增加会导致电压大幅增加，从而导致过度功耗和潜在的损坏。

一些隔离式开关驱动器包括退饱和 (DESAT) 保护功能，可监控 V_DS 或 V_CE 并在过流事件期间快速关断半导体。TPSI31xx 是一系列完全集成的隔离式开关驱动器，与外部电源开关结合使用时，可构成完整的隔离式固态继电器。

TPSI3133（如 图 1-2 所示）是专门用于 DESAT 的型号，因为它在故障比较器输入端具有内部下拉 MOSFET。内部 MOSFET 通过下拉故障比较器输入并在 EN 变为高电平后继续下拉 100ns 来防止在 IGBT/SiC MOSFET 关断时出现误报，从而使 IGBT/SiC MOSFET 能够完全导通。