ZHCAF92 April 2025 LM74502
电动工具用于各种工业和家庭应用,例如钻孔、研磨、切割、抛光、驱动紧固件等。无绳电动工具使用电池电源驱动直流电机,不同产品具有不同的功率级别。
对于高电流电平应用,通常在电池和电机驱动器之间连接一个开关,以确保在连接或断开电源时安全操作。此外,断开开关可以减少设备的静态电流,从而在运输期间节省电力。
此场景中通常使用机械开关,因为其设计简单且成本低。但是,这些开关不太可靠。频繁开关会影响机械开关的寿命。开关期间可能会触发电弧,进而可能损坏电路板上的其他器件。
为避免机械开关引起的问题,可以使用电气 MOSFET 开关。由于电机逆变器通常包含 6 个 MOSFET 来驱动三相无刷直流 (BLDC) 电机,因此这个额外的 MOSFET 开关通常称为第七个 MOSFET (7MOS)。
图 1 无绳电动工具系统中的 7MOS7MOS 可以通过不同方式实施。要选择合适的设计,请浏览本章节确定您的需求。
MOSFET 可分为两类:N 沟道 MOSFET (NMOS) 和 P 沟道 MOSFET (PMOS)。二者均可用作开关。与 PMOS 相比,NMOS 因实现相同额定电流的 RDS、ON 更低且尺寸更小,因此成本和功耗更低,广受欢迎。因此、本应用简报仅讨论使用 NMOS 的设计。
请注意,NMOS 需要由正 VGS 驱动,这意味着栅极电压需要高于源级电压才能打开开关。如果 NMOS 放置在高侧,源极电压等于电源电压,那么栅极电压需要高于电源电压。为了实现该栅极电压,需要额外的驱动器电路。
| RDS、ON | 成本 | 驱动器电路设计 | |
|---|---|---|---|
| NMOS | 低 | 低 | 高侧控制所需的额外设计 |
| PMOS | 高 | 高 | 简单 |
通常,电池管理和电机控制在两个不同的电路板上实现,其中电池管理板放在电池附近(电池侧),电机控制板放在电机周围(电机侧)。7MOS 开关可以安装在任一电路板上。
无论开关置于何处,开关都可能增加 PCB 的尺寸、功耗和发热。要确定开关位置,需要考虑哪一侧可以承受这些规格的下降。
图 2 7MOS 放置位置:电池侧
图 3 7MOS 放置位置:电机侧控制方法:高侧还是低侧?
在电池侧,可以将 7MOS 置于电源与负载之间(高侧)或负载与接地点之间(低侧)。
图 4 电池侧 7MOS 控制
图 5 电池侧 7MOS 控制当使用 NMOS 在低侧实现时,开关不需要比电源电压更高的栅极电压即可导通,可节省成本并减小额外电路所占面积。但是,缺点是当开关断开时,电路其他部分(通信、电机驱动器等)将失去接地基准。悬空接地是不安全的,并且在这种情况下,通信需要隔离。
尽管高侧 NMOS 开关需要驱动器电路生成高于电源的电压,但这种实现可以在整个系统中始终保持相同的接地基准。
| 接地基准 | 驱动器电路设计 | 系统成本 | |
|---|---|---|---|
| 高侧 NMOS 控制 | 始终保持 | 需要生成高于电源的电压 | 高 |
| 低侧 NMOS 控制 | 在 NMOS 断开时切断 | 简单 | 低 |
需要驱动器电路来为 7MOS 生成控制信号。一些电池管理 IC 已经集成了 FET 驱动器,而另一些需要外部电路来实现此功能。
无论电池管理 IC 中是否集成了驱动器电路,此功能都必须是低功耗的。在电池侧,关断模式下电路板功耗受到严格控制,可在运输或长期存储期间实现较低的电池电量损耗。
集成 FET 驱动器的电池管理 IC 在设计阶段就已将驱动器功率纳入考量。因此可以实现低功耗目标。此外,集成驱动器可节省成本,减小电路板尺寸和设计电路所需的额外工作量。
可以使用低成本无源器件来构建用于低侧控制的外部驱动器电路,以传输来自 MCU 的控制信号。该电路功耗低,但会占用一定的 PCB 面积。
在设计用于高侧控制的额外驱动器电路时,通常使用驱动器器件来生成高于电源的控制电压,从而简化设计并减小面积。驱动器器件需要审慎选择,以便在关断模式下控制功耗。仍然需要无源器件来为 IC 构建外设电路。可以为驱动器器件配置额外的保护功能(过压保护、过流保护等),但会增加总成本。
| 控制方法 | PCB 大小 | 主要成本 | |
|---|---|---|---|
| 集成式 FET 驱动器 | 高侧 | 小 | 电池管理 IC |
| 低侧 | 小 | 电池管理 IC | |
| 外部 FET 驱动器 | 高侧 | 驱动器器件(小型)+ 无源器件(中型) | 电池管理 IC + 驱动器器件 |
| 低侧 | 无源器件(中型) | 电池管理 IC |
图 6 适用于电池侧 7MOS 的 FET 驱动器
图 7 适用于电池侧 7MOS 的 FET 驱动器电机侧的情况与电池侧类似。可以对 7MOS 使用高侧或低侧控制,在关断模式下对功耗的限制较小。
对于低侧控制,由于电机驱动器 IC 通常未集成低侧 MOSFET 驱动器,因此可以使用低成本无源器件(像电池侧 7MOS 中一样)构建外部驱动器电路。
对于高侧控制,电机驱动器 IC 通常集成了 FET 驱动器,以驱动电机逆变器中的高侧 NMOS。不同的电机驱动器 IC 中的驱动器结构不同。有些驱动器支持额外的负载电流,有些则不支持。对于支持额外负载的驱动器,高侧控制仅需要含有低成本无源器件的简单外设电路。对于不支持额外负载的驱动器,则必须使用额外的驱动器。此驱动器可通过驱动器器件或无源电路来实现。驱动器器件的尺寸比无源电路更紧凑,并且可能具有额外的保护功能,但成本更高。
图 8 适用于电机侧 7MOS 的 FET 驱动器:高侧
图 10 适用于电机侧 7MOS 的 FET 驱动器:低侧
图 9 适用于电机侧 7MOS 的 FET 驱动器:高侧| 驱动器结构 | PCB 大小 | 主要成本 | |
|---|---|---|---|
| 高侧 | 支持额外负载 | 无源器件(中型) | 电机驱动器 IC |
| 不支持额外负载 | 驱动器器件(小型)+ 无源器件(中型) | 电机驱动器 IC + 驱动器器件 | |
| 驱动器电路(大型)+ 无源器件(中型) | 电机驱动器 IC | ||
| 低侧 | 无 | 无源器件(中型) | 电机驱动器 IC |
高侧电源开关 IC 的内部具有电荷泵,可生成高于电源的电压。配置为 7MOS 控制器时,开关可由来自 MCU 的信号和相应引脚上的输出栅极电压触发。这些开关易于实现,并且集成度高,可节省 PCB 面积。如果不想更改电路板上的其他 IC,此设计非常有用。
尽管许多电源开关都集成了 MOSFET,但可能存在散热问题,因为电动工具应用中的峰值电流可能达到数十安培。因此,我们为此应用设计了具有分立式 NMOS 的电源开关。
图 11 通过电源开关实现 7MOS 控制 (LM74502)不同类型的 IC 还会集成各种保护功能,例如反极性保护 (RPP)、反向电流阻断 (RCB)、过压保护 (OVP)、欠压锁定 (UVLO)、过流保护 (OCP) 等。
建议使用两种类型的电源开关:理想二极管/ORing 控制器和热插拔控制器。选择器件时,可以考虑以下规格:输入电压、功耗、封装面积、成本和所需的保护功能。
| 器件型号 | 输入电压 (V) | 关断电源电流 (uA) | 封装面积 (mm2) | 成本 | 保护特性 |
|---|---|---|---|---|---|
| LM74502 | 65 | 1.5 | 8.12 | 低 | RPP、UVLO、OVP 等 |
| LM74500-Q1, | 65 | 1.5 | 8.12 | 低 | RPP、UVLO 等 |
| LM5050-1 | 80 | 475 | 8.12 | 中 | RPP、RCB 等 |
| LM5060 | 65 | 15 | 14.7 | 中 | OVP、UVLO、OCP 等 |
如前所述,实现高侧 7MOS 控制的一个主要挑战是生成高于电源的栅极控制电压。本节重点介绍如何解决这一挑战。
可以考虑以下方法:
电机侧
电池侧
大多数 BLDC 电机驱动器 IC 都集成了电荷泵或自举结构,用于导通电机逆变器中的高侧 NMOS。这部分电路也可重复使用来控制 7MOS。
应用手册《高电流电机驱动应用中的关断开关》介绍了这一设计。电机驱动器 IC 的 VCP 引脚可以提供电源 + 10V 的电压来导通 7MOS,这要借助低成本但会占用面积的分立式电路来实现。
图 12 通过电机驱动器 IC(集成电荷泵)实现 7MOS 控制单独的自举架构无法生成电源 + 10V 的电压来控制 7MOS,因为这需要依赖电机逆变器的开关操作来保持恒定的电压。具有自举架构的德州仪器 (TI) 器件(例如 DRV8328 和 DRV8329)中使用了涓流电荷泵,以便在输入 PWM 占空比接近 100% 时提供高侧 NMOS 栅极电压(电源 + 10V)。不过,涓流电荷泵只能承受极轻的电流负载,难以直接驱动 7MOS。可以使用驱动器电路来驱动 7MOS,下面是使用 DRV8328 和驱动器电路来驱动 7MOS 的一个示例:
图 13 通过电机驱动器 IC(集成自举结构)实现 7MOS 控制电阻器 R1、R2、R3和 R4 需要审慎选择,因为这些电阻器可能会形成从自举架构到 VBUS 的无用电路并承载负载电流。
此外,最好使用大电阻值来减轻涓流电荷泵的负载电流负担。高电阻也会使电路容易受到噪声和干扰的影响,并减慢开关速度。
演示中选择了 MΩ 级的电阻器作为 R1、R2、R3 和 R4。在实际应用中,可以选择较小的电阻值(100kΩ 级),但需要先导通逆变器中的低侧 NMOS 一段时间,以确保自举电容器充满电。
我们构建了一条演示电路,测试结果如图 14 所示,其中通道 1 是 MCU 控制信号、通道 2 表示电机逆变器中高侧 NMOS 的漏极电压 (VBUS):
图 14 使用驱动器电路导通 7MOS
图 15 使用驱动器电路关断 7MOS当 7MOS 导通时,电池电源 (15V) 连接到电机逆变器,VBUS 等于电源电压;当 7MOS 关断时,电池电源断开,VBUS 通过接地负载电阻器下拉至低电压电平。这样,MCU 就可以成功控制 7MOS,以通过此驱动器电路连接或断开电源。
演示设计采用低成本无源器件和 JEFT 构建,但占用的 PCB 面积约为 30mm×30mm,这对紧凑型设计来说是一个问题。
以上只是一个示例。在这种情况下,MOS 无法非常快速地导通和关断,也无法支持完全 100% 占空比运行。我们需要注意这一点。
表 6 列出了建议的器件:
| 器件型号 | 驱动器结构 | 最大输入电压 |
|---|---|---|
| DRV8320、DRV8323 | 电荷泵 | 60V |
| DRV8350、DRV8353 | 电荷泵 | 100V |
| DRV8328、DRV8329 | 自举 | 60V |
| DRV8334 | 自举 | 60V |
| DRV8161、DRV8162 | 自举 | 100V |
对于具有自举架构的电机驱动器 IC,德州仪器 (TI) 的未来产品可以升级驱动器设计,以支持更高的负载电流并实现更小尺寸的外设电路。
如FET 驱动器:集成还是外部? 中所述,在电池侧必须使用低功耗器件,以便在关断模式下节省电池电量。为此,设计人员可以使用具有驱动器功能的电池保护器或低功耗电源开关。
德州仪器 (TI) 的电池保护器 BQ76200 在关断模式下消耗的电流低于 9.5uA。该器件集成了一个电荷泵并可以由外部信号(来自 MCU 或电池监控器)控制,符合 7MOS 控制的要求。
也可以在此处使用通过电源开关实现 7MOS 控制 中介绍的低功耗电源开关。凭借低于 20uA 的关断电流消耗,这些器件还可以帮助控制功率预算。
| 器件型号 | 类型 | 关断电源电流 (uA) | 最大输入电压 (V) | 封装面积 (mm2) | 成本 | 保护特性 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BQ76200 | 电池保护器 | 9.5 | 27.5 | 32 | 高 | 无 |
| LM74500-Q1、LM74501-Q1 | 理想二极管 | 1.5 | 65 | 8.12 | 低 | RPP、UVLO 等 |
| LM74502 | 理想二极管 | 1.5 | 65 | 8.12 | 低 | RPP、UVLO、OVP 等 |
| LM74700-Q1、LM74701-Q1 | 理想二极管 | 1.5 | 65 | 8.12 | 中 | RPP、RCB、UVLO 等 |
| LM5060 | 热插拔控制器 | 15 | 65 | 14.7 | 中 | OVP、UVLO、OCP 等 |
7MOS 提供了一种连接或断开无绳电动工具电源的可靠方法。7MOS 可以通过采用高侧或低侧控制的 NMOS 晶体管来实现。实现高侧控制的主要挑战在于生成高于电源的栅极电压。表 8 总结了德州仪器 (TI) 的 7MOS 控制设计并对性能进行了比较。
| TI 设计 | 架构 | 建议的器件 |
|---|---|---|
| 电机侧 | ||
| 通过电源开关控制(理想二极管/ORing 控制器) | 电机驱动器和电源开关 | LM74502、LM7450x-Q1、LM7470x-Q1、LM5050-1 |
| 通过电源开关控制(热插拔控制器) | LM506x、TPS249x | |
| 通过电机驱动器 IC 控制(电荷泵) | 电机驱动器 | DRV8320、DRV8323、DRV8350、DRV8353 |
| 通过电机驱动器 IC 控制(自举) | DRV8328、DRV8329、DRV8334、DRV8161、DRV8162 | |
| 电池侧 | ||
| 通过电池保护器控制 | 电池监控器 + 电池保护器 | BQ76200 |
| 通过低功耗电源开关控制 | 电池监控器 + 电源开关 | LM74502、LM7450x-Q1、LM7470x-Q1、LM5060 |
| 通过电池监控器控制 | 电池监控器 | 高侧:BQ769x2 |