ZHCAF05 February 2025 TMS320F2800133 , TMS320F2800135 , TMS320F2800137 , TMS320F2800155 , TMS320F2800157 , TMS320F280025C , TMS320F280037C-Q1 , TMS320F280039C , TMS320F280039C-Q1 , TMS320F280045 , TMS320F280049 , TMS320F280049C , TMS320F28P559SJ-Q1
由于 DCxEVT1 事件可用于为 PWM 计数器生成同步事件,因此同步 FET PWM 的下降沿通过输入 XBAR、EPWM XBAR 和数字比较 (DC) 子模块定义为 DCxEVT1 事件(低电平有效)。图 3-2 展示了如何利用直流子模块内部的边沿滤波器功能为 DCxEVT1 事件创建额外延迟,如以下步骤所示。
EPWM_setDigitalCompareFilterInput (base, EPWM_DC_WINDOW_SOURCE_DCAEVT1);
EPWM_enableDigitalCompareEdgeFilter(base);
EPWM_enableValleyCapture(base);
EPWM_setValleyTriggerSource(base, EPWM_VALLEY_TRIGGER_EVENT_CNTR_ZERO);
EPWM_setDigitalCompareEdgeFilterEdgeCount(base, EPWM_DC_EDGEFILT_EDGECNT_1);
EPWM_enableValleyHWDelay(base);
EPWM_setValleySWDelayValue(base, 30);
考虑到死区时间在各种运行条件下都相对稳定,因此即使 SWVDELVAL 寄存器未在影子模式下运行,也是安全的。由于有源 FET 和同步 FET 角色在正周期和负周期下交换,因此需要同时更改 DCxEVT1 事件的源(同步 FET PWM)。这通过选择不同的 GPIO 作为输入 XBAR 的源来实现。