ZHCAEX4 January   2025 F29H850TU , F29H859TU-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 EEPROM 与片上闪存的区别
  6. 3 概述
    1. 3.1 基本概念
    2. 3.2 单存储单元方法
    3. 3.3 乒乓方法
    4. 3.4 创建 EEPROM 节（页）和页标识
  7. 4 软件说明
    1. 4.1 软件功能和流程
  8. 5 单存储单元仿真
    1. 5.1 用户配置
      1. 5.1.1 EEPROM_Config.h
      2. 5.1.2 F29H85x_EEPROM.c
    2. 5.2 EEPROM 函数
      1. 5.2.1 初始化和设置函数
        1. 5.2.1.1 Configure_Device
        2. 5.2.1.2 EEPROM_Config_Check
      2. 5.2.2 页面模式函数
        1. 5.2.2.1 EEPROM_GetValidBank
        2. 5.2.2.2 EEPROM_UpdateBankStatus
        3. 5.2.2.3 EEPROM_UpdatePageStatus
        4. 5.2.2.4 EEPROM_UpdatePageData
        5. 5.2.2.5 EEPROM_Write_Page
      3. 5.2.3 64 位模式函数
        1. 5.2.3.1 EEPROM_64_Bit_Mode_Check_EOS
        2. 5.2.3.2 EEPROM_Write_64_Bits
      4. 5.2.4 两种模式下使用的函数
        1. 5.2.4.1 EEPROM_Erase
        2. 5.2.4.2 EEPROM_Read
      5. 5.2.5 实用功能
        1. 5.2.5.1 EEPROM_Write_Buffer
        2. 5.2.5.2 Erase_Bank
        3. 5.2.5.3 Set_Protection_Masks
        4. 5.2.5.4 Configure_Protection_Masks
        5. 5.2.5.5 Fill_Buffer
        6. 5.2.5.6 ClearFSMStatus
    3. 5.3 测试示例
  9. 6 乒乓仿真
    1. 6.1 用户配置
      1. 6.1.1 EEPROM_PingPong_Config.h
      2. 6.1.2 F29H85x_EEPROM_PingPong.c
    2. 6.2 EEPROM 函数
      1. 6.2.1 初始化和设置函数
        1. 6.2.1.1 Configure_Device
        2. 6.2.1.2 EEPROM_Config_Check
      2. 6.2.2 页面模式函数
        1. 6.2.2.1 EEPROM_GetValidBank
        2. 6.2.2.2 EEPROM_UpdateBankStatus
        3. 6.2.2.3 EEPROM_UpdatePageStatus
        4. 6.2.2.4 EEPROM_UpdatePageData
        5. 6.2.2.5 EEPROM_Write_Page
      3. 6.2.3 64 位模式函数
        1. 6.2.3.1 EEPROM_64_Bit_Mode_Check_EOS
        2. 6.2.3.2 EEPROM_Write_64_Bits
      4. 6.2.4 两种模式下使用的函数
        1. 6.2.4.1 EEPROM_Erase_Inactive_Unit
        2. 6.2.4.2 EEPROM_Read
        3. 6.2.4.3 EEPROM_Erase_All
      5. 6.2.5 实用功能
        1. 6.2.5.1 EEPROM_Write_Buffer
        2. 6.2.5.2 Erase_Bank
        3. 6.2.5.3 Configure_Protection_Masks
        4. 6.2.5.4 Set_Protection_Masks
        5. 6.2.5.5 Fill_Buffer
        6. 6.2.5.6 ClearFSMStatus
    3. 6.3 测试示例
  10. 7 应用集成
  11. 8 闪存 API
    1. 8.1 闪存 API 检查清单
      1. 8.1.1 使用闪存 API 时的注意事项
  12. 9 源文件清单
  13. 10故障排除
    1. 10.1 一般
  14. 11结语
  15. 12参考资料

2 EEPROM 与片上闪存的区别

EEPROM 具有各种不同的容量，并通过串行接口（有时为并行接口）与主机微控制器连接。由于引脚/布线数量超少，串行内部集成电路 (I2C) 和串行外设接口 (SPI) 颇受欢迎。EEPROM 可以进行电编程和擦除，并且大多数串行 EEPROM 支持逐字节编程或擦除操作。

EEPROM 与闪存的最大区别在于擦除操作：EEPROM 可以擦除任何特定的单独字节，而闪存必须清除至少一个整个扇区。

闪存写入和擦除周期是通过对各个存储单元施加时控电压来执行的。在擦除情况下，每个存储单元（位）读取逻辑 1。因此，被擦除时，C2000 实时控制器的每个闪存位置读取 0xFFFF。通过编程，存储单元可以更改为逻辑 0。任何字节都可以被覆盖，将一个位从逻辑 1 更改为 0（假设相应的 ECC 尚未编程）；但无法执行相反的操作。F29H85x MCU 器件的片上闪存需要使用 TI 提供的特定算法（闪存 API）来执行擦除和写入操作。

注： 如需了解闪存擦除/编程/读取时间，请参阅特定器件数据手册电气特性 部分中的“闪存参数”部分。