ZHCAEX4 January   2025 F29H850DM , F29H850TU , F29H859TU-Q1 , F29P589DM-Q1 , F29P589DU-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 EEPROM 与片上闪存的区别
  6. 3 概述
    1. 3.1 基本概念
    2. 3.2 单存储单元方法
    3. 3.3 乒乓方法
    4. 3.4 创建 EEPROM 节（页）和页标识
  7. 4 软件说明
    1. 4.1 软件功能和流程
  8. 5 单存储单元仿真
    1. 5.1 用户配置
      1. 5.1.1 EEPROM_Config.h
      2. 5.1.2 F29H85x_EEPROM.c
    2. 5.2 EEPROM 函数
      1. 5.2.1 初始化和设置函数
        1. 5.2.1.1 Configure_Device
        2. 5.2.1.2 EEPROM_Config_Check
      2. 5.2.2 页面模式函数
        1. 5.2.2.1 EEPROM_GetValidBank
        2. 5.2.2.2 EEPROM_UpdateBankStatus
        3. 5.2.2.3 EEPROM_UpdatePageStatus
        4. 5.2.2.4 EEPROM_UpdatePageData
        5. 5.2.2.5 EEPROM_Write_Page
      3. 5.2.3 64 位模式函数
        1. 5.2.3.1 EEPROM_64_Bit_Mode_Check_EOS
        2. 5.2.3.2 EEPROM_Write_64_Bits
      4. 5.2.4 两种模式下使用的函数
        1. 5.2.4.1 EEPROM_Erase
        2. 5.2.4.2 EEPROM_Read
      5. 5.2.5 实用功能
        1. 5.2.5.1 EEPROM_Write_Buffer
        2. 5.2.5.2 Erase_Bank
        3. 5.2.5.3 Set_Protection_Masks
        4. 5.2.5.4 Configure_Protection_Masks
        5. 5.2.5.5 Fill_Buffer
        6. 5.2.5.6 ClearFSMStatus
    3. 5.3 测试示例
  9. 6 乒乓仿真
    1. 6.1 用户配置
      1. 6.1.1 EEPROM_PingPong_Config.h
      2. 6.1.2 F29H85x_EEPROM_PingPong.c
    2. 6.2 EEPROM 函数
      1. 6.2.1 初始化和设置函数
        1. 6.2.1.1 Configure_Device
        2. 6.2.1.2 EEPROM_Config_Check
      2. 6.2.2 页面模式函数
        1. 6.2.2.1 EEPROM_GetValidBank
        2. 6.2.2.2 EEPROM_UpdateBankStatus
        3. 6.2.2.3 EEPROM_UpdatePageStatus
        4. 6.2.2.4 EEPROM_UpdatePageData
        5. 6.2.2.5 EEPROM_Write_Page
      3. 6.2.3 64 位模式函数
        1. 6.2.3.1 EEPROM_64_Bit_Mode_Check_EOS
        2. 6.2.3.2 EEPROM_Write_64_Bits
      4. 6.2.4 两种模式下使用的函数
        1. 6.2.4.1 EEPROM_Erase_Inactive_Unit
        2. 6.2.4.2 EEPROM_Read
        3. 6.2.4.3 EEPROM_Erase_All
      5. 6.2.5 实用功能
        1. 6.2.5.1 EEPROM_Write_Buffer
        2. 6.2.5.2 Erase_Bank
        3. 6.2.5.3 Configure_Protection_Masks
        4. 6.2.5.4 Set_Protection_Masks
        5. 6.2.5.5 Fill_Buffer
        6. 6.2.5.6 ClearFSMStatus
    3. 6.3 测试示例
  10. 7 应用集成
  11. 8 闪存 API
    1. 8.1 闪存 API 检查清单
      1. 8.1.1 使用闪存 API 时的注意事项
  12. 9 源文件清单
  13. 10故障排除
    1. 10.1 一般
  14. 11结语
  15. 12参考资料

6.1.2 F29H85x_EEPROM_PingPong.c

在 F29H85x_EEPROM_PingPong.c 中，用户可以选择用于 EEPROM 仿真的闪存扇区。选择的扇区（如果有多个）应该是连续的并且按从小到大的顺序排列。仅插入要用于 EEPROM 的第一个和最后一个扇区。例如，要使用扇区 1-10，请插入 {1,10}。要仅使用扇区 1，请插入 {1,1}。

uint32 FIRST_AND_LAST_SECTOR[2][2] = {{0,0},{1,1}};

有效的配置具有以下属性：

  • 意味着两个 EEPROM 单元之间的扇区数量有效且一致
  • 仅包含器件上存在的扇区
  • 不会在两个单元之间的写入/擦除保护掩码中产生重叠
    • F29H85x 闪存 API 要求在对闪存存储器进行编程之前配置写入/擦除保护掩码。有关这些掩码正确配置的详细信息，请参阅 F29H85x 闪存 API 参考指南 (SPRUJE7)。

有关无效或危险配置的更多详细信息，请参阅节 6.2.1.2。

用户还可以在擦除后启用空白检查，并选择在哪个 EEPROM 单元中开始执行仿真操作。

uint8_t EEPROM_ACTIVE_UNIT = 0;
uint8_t Erase_Blank_Check  = 1;

如果设置为 0，则 FIRST_AND_LAST_SECTOR 中的第一组闪存扇区将首先是活动 EEPROM 单元，第二组将首先是非活动 EEPROM 单元。如果设置为 1，则情况相反。