ZHCADZ0 April   2024 LMG3522R030

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2逆变器模型概述
    1. 2.1 功率级
    2. 2.2 控制和调制方法
  6. 3使用 C-Script 块实现数字控制
    1. 3.1 工程结构概述
    2. 3.2 交流电压采样和真 RMS 值计算
    3. 3.3 多环路控制
      1. 3.3.1 具有陷波滤波器的电压环路
      2. 3.3.2 具有 PI 补偿器抗饱和功能的电流环路
      3. 3.3.3 正弦波和锯齿波发生器
      4. 3.3.4 图腾柱调制和死区时间控制
  7. 4仿真结果
  8. 5总结
  9. 6参考资料

2.1 功率级

图 2-1 是逆变器模型的概览，其中 C-Script 表示用于对数据进行采样、计算控制参数并输出 PWM 信号的数字控制器。功率级参数与 PMP23338 参考设计相同，表 2-1 中列出了规格。使用了具有 LC 输出滤波器的传统 H 桥拓扑。TI GaN 器件 LMG352xR030 用于高频电桥，常见的 Si FET 用作低频电桥 (50/60Hz)。

表 2-1 功率级规格
参数 规格 单位
输入电压 380 V
输出电压 220 VRMS
输出电压频率 50 Hz
输出功率 3.6 kW
输出电流 16 ARMS
PWM 频率（GaN 电桥） 100 kHz
PWM 频率（SI 电桥） 50 Hz
LMG3522R030 逆变器模型概览图 2-1 逆变器模型概览

该模型还提供了开关调制方法接口，仅通过将输出 PWM 信号复制到单极调制块中对单极调制进行修改。