ZHCADZ0 April   2024 LMG3522R030

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2逆变器模型概述
    1. 2.1 功率级
    2. 2.2 控制和调制方法
  6. 3使用 C-Script 块实现数字控制
    1. 3.1 工程结构概述
    2. 3.2 交流电压采样和真 RMS 值计算
    3. 3.3 多环路控制
      1. 3.3.1 具有陷波滤波器的电压环路
      2. 3.3.2 具有 PI 补偿器抗饱和功能的电流环路
      3. 3.3.3 正弦波和锯齿波发生器
      4. 3.3.4 图腾柱调制和死区时间控制
  7. 4仿真结果
  8. 5总结
  9. 6参考资料

简介

逆变器广泛用于各种应用。例如,光伏逆变器、不间断电源 (UPS) 和车载充电器 (OBC) 利用逆变器将直流电源转换为交流电源。在这些系统中,逆变器性能对整个系统的性能具有重大影响。因此,为了提高逆变器的性能,人们提出并研究了许多拓扑和控制算法。一种初步验证转换器的可行性和性能的有效方法是仿真。此外,数字控制在现实情况下被广泛用于控制功率级,在仿真软件中代码比控制块更加灵活。因此,本应用手册的一个目的是介绍具有数字控制功能的单相离网逆变器的实现,另一个目的是验证具有多环路控制功能的图腾柱调制的性能。在传统控制方法中,电压环路的输入信号直接来自输出端的采样交流电压。但在本应用手册中,输出电压的 RMS 值用作电压环路中的基准值。本应用手册中讨论了该方法的优点。

PMP23338 是 TI 一款具有电表功能的 3.6kW 单相图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 电路参考设计。利用图腾柱无桥结构,该参考设计支持逆变器功能。两个有源半桥构成了该拓扑:一个半桥在低频下工作,另一个半桥在高频下工作。

PMP23338 中的高频半桥由两个 LMG3522R030 器件构成。LMG3522R030 是 TI 的 650V GaN FET,具有集成的驱动器和保护功能。与 Si FET 相比,由于 COSS 较低,GaN FET 的开关损耗要低得多。此外,GaN FET 的独特结构可实现零反向恢复电荷,从而进一步提高 GaN FET 在高频下的性能。