ZHCADP4 January   2024 TMS320F2800132 , TMS320F2800133 , TMS320F2800135 , TMS320F2800137 , TMS320F2800152-Q1 , TMS320F2800153-Q1 , TMS320F2800154-Q1 , TMS320F2800155 , TMS320F2800155-Q1 , TMS320F2800156-Q1 , TMS320F2800157 , TMS320F2800157-Q1 , TMS320F280021 , TMS320F280021-Q1 , TMS320F280023 , TMS320F280023-Q1 , TMS320F280023C , TMS320F280025 , TMS320F280025-Q1 , TMS320F280025C , TMS320F280025C-Q1 , TMS320F280033 , TMS320F280034 , TMS320F280034-Q1 , TMS320F280036-Q1 , TMS320F280036C-Q1 , TMS320F280037 , TMS320F280037-Q1 , TMS320F280037C , TMS320F280037C-Q1 , TMS320F280038-Q1 , TMS320F280038C-Q1 , TMS320F280039 , TMS320F280039-Q1 , TMS320F280039C , TMS320F280039C-Q1 , TMS320F280040-Q1 , TMS320F280040C-Q1 , TMS320F280041 , TMS320F280041-Q1 , TMS320F280041C , TMS320F280041C-Q1 , TMS320F280045 , TMS320F280048-Q1 , TMS320F280048C-Q1 , TMS320F280049 , TMS320F280049-Q1 , TMS320F280049C , TMS320F280049C-Q1 , TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076 , TMS320F28374D , TMS320F28374S , TMS320F28375D , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376D , TMS320F28376S , TMS320F28377D , TMS320F28377D-EP , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28378S , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1 , TMS320F28379S

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
    1. 1.1 基准不可靠的症状
    2. 1.2 ADC 工作原理
    3. 1.3 布局指南
    4. 1.4 基准缓冲器主要规格
    5. 1.5 C2000 MCU 的 VREFHI 示例
  5. 2未缓冲的基准
  6. 3缓冲基准
  7. 4VDDA 作为 ADC 的基准电压
  8. 5总结
  9. 6参考文献
  10. 7ADC 相关配套资料

1.3 布局指南

SAR ADC 每次转换期间会对 VREFHI 进行多次采样，如果在进行位确定时对 ADC 的内部电容器阵列进行切换并进行充电时，会发生高电流瞬变。VREFHI 必须保持稳定并适当建立以避免转换错误。由于这些动态电流，该基准引脚需要使用高质量旁路电容器 (CREF) 进行良好的去耦。在下图中，通过将该电容器靠近 REF 引脚放置并使用宽布线连接，可以尽可能地减小基准电容器和 REF 引脚之间的电感。该设计还使用一个 0.1Ω 的小型串联电阻 (RREF) 来保持整体阻抗较小并在高频率下保持恒定。

GUID-20231220-SS0I-3MC0-CM04-NLKC8JF2LGFF-low.svg图 1-1 布局示例