ZHCAD18 august   2023 TPS61299

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1概述
  5. 2连接到输入电压的负载
    1. 2.1 体二极管导通 (TPS61288)
    2. 2.2 强制直通 (TPS61253)
    3. 2.3 旁路 (TPS61291)
    4. 2.4 总结
  6. 3负载与输入电压断开连接
    1. 3.1 具有可切换体二极管的同步 HSD FET (TPS61299)
    2. 3.2 可切断泄漏路径的额外 ISO FET
  7. 4总结
  8. 5参考文献

3.2 可切断泄漏路径的额外 ISO FET

如果高侧 MOSFET 无法切换体二极管方向，则需要一个单独的隔离 MOSFET。ISO-FET 的体二极管阴极连接至输入侧。当 EN 为低电平时，ISO FET 关断，在关断期间完全切断输入侧和输出侧之间的路径，并实现真正断开。

ISO FET 可以放置在输出或输入路径上。TPS61378-Q1 在输出路径上与一个分离的 N-MOS 隔离 FET 集成，如图 3-3 所示。TPS61376 会将分离的 N-MOS 隔离 FET 移至输入路径，如图 3-4 所示。在这种情况下，ISO FET 可重复用作电感器电流检测 FET。因此，TPS61376 可以对输入平均电流限制阈值进行编程。TPS61378 和 TPS61376 的关断波形与图 3-2 类似。

GUID-20230731-SS0I-KZGX-2WH1-B2DFST2KCZRD-low.svg图 3-3 TPS61378-Q1：输出路径上的 ISO-FET
GUID-20230822-SS0I-ZQBW-6J8X-KX53FQPRWZZG-low.svg图 3-4 TPS61376：输入路径上的 ISO-FET