ZHCAD18 august   2023 TPS61299

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1概述
  5. 2连接到输入电压的负载
    1. 2.1 体二极管导通 (TPS61288)
    2. 2.2 强制直通 (TPS61253)
    3. 2.3 旁路 (TPS61291)
    4. 2.4 总结
  6. 3负载与输入电压断开连接
    1. 3.1 具有可切换体二极管的同步 HSD FET (TPS61299)
    2. 3.2 可切断泄漏路径的额外 ISO FET
  7. 4总结
  8. 5参考文献

2.2 强制直通 (TPS61253)

为了减少二极管中的压降和功率损耗，建议使用强制直通功能（待机模式）。如图 2-3 所示，在关断期间，高侧 P-MOS 仍然可以通过将栅极拉至接地来导通。

GUID-20230807-SS0I-L2VT-RQJF-DCKNCHSM92NX-low.svg图 2-3 关断期间的强制直通

输出电压等于输入电压减去电感器 DCR 和 P-MOS Rdson 两端的压降。输出电压跟随输入电压。

方程式 3. V O U T = V I N - I O U T × ( D C R + R d s o n ）
方程式 4. Ploss=IOUT2×(DCR+Rdson）

TPS61253 集成了强制直通模式。图 2-4 展示了 TPS61253 的关断波形。与体二极管导通操作相比，P-MOS 中的压降和功率损耗要小于体二极管。但是，电感器位于连接路径中，因此电感器功率损耗仍然存在。使用 50Ω 电阻负载时，关断期间存在电感器电流。

GUID-20230728-SS0I-0SMS-CZNH-9HSRHH7SSZSR-low.svg图 2-4 TPS61253 关断波形