ZHCACT5 june   2023 AFE11612-SEP , INA240-SEP , OPA4H199-SEP

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 LDMOS 和 GaN 功率放大器 FET PA 基础知识
  5. 2 VGS 补偿
  6. 3 时序控制
  7. 4 集成 PA 偏置解决方案
  8. 5 负 GaN 偏置
  9. 6 VDRAIN 开关电路
  10. 7 受控栅极时序控制电路
  11. 8 VDRAIN 监控
  12. 9 IDQ 监控
  13. 10外部负电源监控
  14. 11PA 温度监控
  15. 12总结
  16. 13参考文献

12 总结

功率放大器行为的细微差别使得分立式 VGS 补偿解决方案复杂且成本高昂。AFE11612-SEP 在简化解决方案的同时，增加了用于启动和关断时序控制的栅极监控、VDRAIN 监控、温度监控以及电源崩溃检测等有益特性，因此物超所值。

表 12-1 器件建议
器件 优化参数 电离辐射总剂量 (TID) 特征值 单粒子锁定 (SEL) 特征值
AFE11612-SEP 具有 16 路 12 位 ADC 输入的航天增强型 12 路 12 位 DAC。 20krad(SI) 在 125°C 下的抗扰度为 43MeV-cm2/mg
OPA4H199-SEP 航天增强型高电压四路输出运算放大器。 30krad(SI) 在 125°C 下的抗扰度为 43MeV-cm2/mg
INA240-SEP 航天增强型宽共模范围电流检测放大器。 20krad(SI) 在 125°C 下的抗扰度为 43MeV-cm2/mg