ZHCACT5 june   2023 AFE11612-SEP , INA240-SEP , OPA4H199-SEP

 

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  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 LDMOS 和 GaN 功率放大器 FET PA 基础知识
  5. 2 VGS 补偿
  6. 3 时序控制
  7. 4 集成 PA 偏置解决方案
  8. 5 负 GaN 偏置
  9. 6 VDRAIN 开关电路
  10. 7 受控栅极时序控制电路
  11. 8 VDRAIN 监控
  12. 9 IDQ 监控
  13. 10外部负电源监控
  14. 11PA 温度监控
  15. 12总结
  16. 13参考文献

6 VDRAIN 开关电路

VDRAIN 保护电路使用 NMOS 和 PMOS 晶体管来禁用施加到 PA 漏极的电压。此 PA_ON 电路充当一个高压开关。在启动、关断和警报事件期间的关键时刻，应禁用 VDRAIN。本设计使用该 NMOS 和 PMOS 电路来实现这一点。将下一节中介绍的 PA_ON 电压施加到 NMOS 栅极时，电路会导通以允许 VDRAIN 通过 PMOS。理想情况下，选择 VGS 电压低于 2.5V 的 NMOS，因为 PA_ON 电路使用 AFE11612-SEP 外部 2.5V 基准作为其数字输出电压电平。

GUID-20230608-SS0I-BZK2-HWCV-FBB3WBWZJRKS-low.svg图 6-1 VDRAIN 启用电路
GUID-20230522-SS0I-HK0J-MH8K-CZX3CFHP8VRM-low.svg图 6-2 VDRAIN 启用图