ZHCACH5B october   2022  – march 2023 OPA2991 , TLC2654 , TLC4502 , TLE2021 , TLV2721

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
  4. 2定义的输入失调电压
  5. 3导致 VOS 的原因
  6. 4主要器件类型中的 VOS 和温漂
    1. 4.1 双极
    2. 4.2 JFET
    3. 4.3 CMOS
  7. 5VOS 的制造商测量、修整和规格
    1. 5.1 测量
    2. 5.2 修整
    3. 5.3 规格
  8. 6VOS 对电路设计和校正方法的影响
    1. 6.1 交流耦合
    2. 6.2 直流反馈
    3. 6.3 内部校准
  9. 7总结
  10. 8参考文献
  11. 9修订历史记录

CMOS

CMOS 运算放大器由整个器件中的互补 MOS 晶体管(NMOS 和 PMOS 一起)组成。在所有三种工艺中,CMOS 器件通常具有低 VOS 和最低的温漂。

CMOS 差分输入电路与图 3-1 中的双极输入电路相同,使用 MOS 晶体管代替 Q1 和 Q2。推导出的环路公式与方程式 13 相同。方程式 13 中 VGS 的 MOSFET 定义代入方程式 13并处理成方程式 14 的形式。在这里,VOS 主要是由阈值电压 VT(不要与双极器件的热电压 VT 相混淆)的差异造成的。这些是由晶体管中通道的宽度、长度、厚度和掺杂程度的变化引起的(请参阅 Gray 和 Meyer [2])。

方程式 9. V G S = V T + 2 I D k ' · L W
方程式 10. V O S = V T 1 - V T 2 + 2 I D 1 μ C O X · L 1 W 1 - 2 I D 2 μ C O X · L 2 W 2