ZHCAC47 February   2023 BQ769142 , BQ76942 , BQ76952 , ISO1640 , LM5168

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
  4. 2堆叠式 AFE 通信
    1. 2.1 数据通信
    2. 2.2 控制信号
  5. 3高侧 N 沟道 MOSFET
    1. 3.1 放电 MOSFET 导通和关断过程
    2. 3.2 PACK 端口高电压
    3. 3.3 快速关闭放电 MOSFET
  6. 4堆叠组的电流消耗
  7. 5总结
  8. 6参考文献

3 高侧 N 沟道 MOSFET

TIDA-010247 支持高侧 N 沟道 MOSFET 架构，并使用顶部 BQ769x2 电荷泵来驱动 MOSFET 的导通和关断。高侧 MOSFET 架构始终保护接地连接，有利于电池组与外部通信，但也带来了新的设计挑战。由于顶部 BQ769x2 参考底部电池组电压，因此当顶部 BQ769x2 尝试关闭 DSG MOSFET 时，DSG 引脚电压会降至 LD 引脚电压，并最终下降到底部电池组电压（顶部 BQ769x2 接地），底部电池组电压过高，无法完全关闭 DSG MOSFET。TIDA-010247 使用分立式电路（如#FIG_TG5_XXH_VVB 所示）来确保 DSG MOSFET 快速完全关闭。


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图 3-1 TIDA-010247 中的高侧 MOSFET 驱动电路