必须快速关闭放电 MOSFET，尤其是在发生短路放电 (SCD) 故障时。MOSFET 导通时如果发生 SCD 故障，放电电流会增加到非常大的值，并触发 SCD 保护，关闭放电 MOSFET。放电电流会快速下降，由于短路连接器和 PCB 布线的寄生电感，PACK+ 上会产生显著的负电压。PACK+ 上的负电压可阻止电流流入齐纳二极管 D30 的阴极并使 Q49 关断，从而减慢放电 MOSFET 的关断过程。二极管 D37 是限制最大负电压所必需的。考虑到放电电流可能很大，D37 正向电压可能会达到放电 MOSFET 的栅极-源极阈值电压 (Vgs_th)，因此添加了 Q48、R171、D34、R174、D36 和 R173，以便为放电 MOSFET 的输入电容 (Ciss) 提供另一条放电路径，加快关断过程。当 Q48 由于 PACK 上的负电压而导通时，放电 MOSFET 的 Ciss 通过 Q48 和 R171 放电。为了确保电路正常工作，在放电 MOSFET 的栅极-源极电压达到放电 MOSFET 的 Vgs_th 之前，Q48 必须导通，考虑将 R174、R173 和 D36 作为分压器。在 PACK 侧进行反向电压测试时，为了确保放电 MOSFET 处于关闭状态，也需要满足此条件。当 PACK 具有正常高电压时，D36 可消除漏电流，当 PACK 侧具有超高的负电压时，R173 会限制电流，从而保护 D34 和 Q48。

图 3-2 TIDA-010247 SCD 保护

图 3-3 在 Q49 处于 SCD 状态时关闭放电 MOSFET

图 3-4 在 Q48 处于 SCD 状态时关闭放电 MOSFET