ZHCABY3B march 2023 – june 2023 MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G3105 , MSPM0G3106 , MSPM0G3107 , MSPM0G3505 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507
表 1-1 描述了 MSPM0G 硬件设计过程中需要检查的主要内容。以下各节提供了更多详细信息。
引脚 | 说明 | 要求 |
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VDD | 电源正极引脚 | 在 VDD 和 VSS 之间放置 10μF 和 100nF 电容器,并使这些器件靠近 VDD 和 VSS 引脚。 |
VSS | 电源负极引脚 | |
VCORE | 内核电压(典型值:1.35V) | 将一个 470nF 电容器连接到 VSS。请勿向 VCORE 引脚提供任何电压或施加任何外部负载。 |
NRST | 复位引脚 | 连接一个外部 47kΩ 上拉电阻和一个 10nF 下拉电容。 |
ROSC | 外部基准电阻引脚 |
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VREF+ | 电压基准电源 - 外部基准输入 |
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VREF- | 电压基准接地电源 - 外部基准输入 | |
SWCLK | 来自调试探针的串行线时钟 | 内部下拉到 VSS,不需要任何外部器件。 |
SWDIO | 双向(共享)串行线数据 | 内部上拉到 VDD,不需要任何外部器件。 |
PA0、PA1 | 开漏 I/O | 输出高电平所需的上拉电阻 |
PA18 | 默认 BSL 调用引脚 | 保持下拉状态,以避免在复位后进入 BSL 模式。(BSL 调用引脚可以重新映射。) |
PAx(不包括 PA0、PA1) | 通用 I/O | 将相应的引脚功能设置为 GPIO (PINCMx.PF = 0x1) 并使用内部上拉或下拉电阻器将未使用的引脚配置为输出低电平或输入。 |
TI 建议将一个 10μF 和一个 0.1nF 低 ESR 陶瓷去耦电容器组合连接到 VDD 和 VSS 引脚。可以使用值更大的电容,但可能会影响电源轨斜升时间。去耦电容必须尽可能靠近其去耦的引脚的位置(几毫米范围内)。
NRST 复位引脚需要连接一个外部 47kΩ 上拉电阻和一个 10nF 下拉电容。
SYSOSC 频率校正环路 (FCL) 电路利用一个组装在 ROSC 引脚和 VSS 之间的外部 100kΩ 电阻,通过为 SYSOSC 提供精密基准电流来稳定 SYSOSC 频率。如果未启用 SYSOSC FCL,则不需要该电阻。
对于支持外部晶振的器件,在使用外部晶振时,需要为晶体振荡器引脚使用外部旁路电容。
VCORE 引脚上需要连接一个 0.47μF 的电容,并且该电容需要靠近器件放置,与器件接地之间的距离最小。
对于 5V 容限开漏 (ODIO),如果使用 ODIO,则需要一个上拉电阻来输出 I2C 和 UART 功能所需的高电平。