闪存用于存储应用程序代码和数据、器件引导配置以及 TI 在出厂时预编程的参数。闪存分为一个或多个存储体，每个存储体中的存储器进一步映射到一个或多个逻辑存储区域，并分配有系统地址空间以供应用程序使用。

存储器组

大多数 MSPM0 器件会实现单个闪存组 (BANK0)。在具有单个闪存组的器件上，一个正在进行的编程/擦除操作会暂停对闪存的所有读取请求，直到操作完成并且闪存控制器已经释放了对组的控制。在具有多个闪存组的器件上，一个组上的编程/擦除操作也会暂停向正在执行编程/擦除操作的组发出的读取请求，但不会暂停向另一个组发出的读取请求。因此，存在多个组可实现以下应用案例：

• 双映像固件更新（应用程序可以从一个闪存存储体中执行代码，同时将第二个映像编程到第二个对称的闪存存储体，而不会暂停应用程序的执行）
• EEPROM 仿真（应用程序可以从一个闪存存储体中执行代码，第二个闪存存储体用于写入数据，而不会暂停应用程序的执行）

闪存区域

根据每个组中存储器所支持的功能，每个组中的存储器映射到一个或多个逻辑区域。有四个区域：

• FACTORY – 器件 ID 和其他参数
• NONMAIN – 器件引导配置（BCR 和 BSL）
• MAIN – 应用程序代码和数据
• DATA – 数据或 EEPROM 仿真

具有一个存储体的器件在 BANK0（唯一存在的存储体）上实现 FACTORY、NONMAIN 和 MAIN 区域，并且数据区域不可用。具有多个存储体的器件也在 BANK0 上实现 FACTORY、NONMAIN 和 MAIN 区域，但包括可实现 MAIN 或 DATA 区域的其他存储体（BANK1 至 BANK4）。

NONMAIN 存储器

NONMAIN 是闪存的专用区域，用于存储 BCR 和 BSL 用于引导器件的配置数据。该区域不用于任何其他目的。BCR 和 BSL 都具有配置策略，这些策略可以保留为默认值（在开发和评估期间是典型值），也可以通过更改编程到 NONMAIN 闪存区域中的值来针对特定用途进行修改（在生产编程期间是典型值）。