ZHCABV5 October   2021 DRV5032 , TMAG5170 , TMAG5231 , TMAG5273

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
  4. 2簧片开关概述
  5. 3霍尔效应传感器概述
  6. 4性能比较
  7. 5DRV5032 测试设置和结果
    1. 5.1 DRV5032 测试设置
    2. 5.2 了解结果
    3. 5.3 DRV5032 测试结果
    4. 5.4 正面靠近结果
    5. 5.5 侧面靠近
    6. 5.6 篡改敏感性测试设置
    7. 5.7 篡改敏感性测试结果
  8. 6簧片开关测试设置和结果
    1. 6.1 簧片开关测试设置
    2. 6.2 簧片开关测试结果
    3. 6.3 正面靠近结果
    4. 6.4 侧面靠近结果
    5. 6.5 篡改敏感性测试设置
    6. 6.6 簧片开关篡改敏感性测试结果
  9. 7TMAG5170 测试设置和结果
    1. 7.1 TMAG5170 测试设置
    2. 7.2 TMAG5170 测试结果
    3. 7.3 TMAG5170 篡改敏感性测试设置
    4. 7.4 TMAG5170 篡改敏感性测试结果
  10. 8总结

7.4 TMAG5170 篡改敏感性测试结果

篡改以正交和平行两种方式进行。图 7-7 显示了当篡改磁体进入器件检测场时 TMAG5170 GUI 的输出。在篡改磁体靠近之前，X 轴上的场强约为 1.75mT。第二个磁体的引入增加了 X 轴和 Y 轴上的场强，表明发生了篡改尝试。

GUID-20210810-SS0I-QNPL-1WSZ-N4QLC4NXD0MG-low.png图 7-7 TMAG5170 正交篡改测试设置
GUID-20210810-SS0I-W7XL-2SRV-QRWSDNM6Q0QM-low.png图 7-8 TMAG5170 正交轴磁性检测：结果

再次完成篡改测试，这一次平行于真正的磁体。图 7-9 显示了当篡改磁体进入检测范围时 TMAG5170 产生的响应。在篡改磁体开始靠近之前，X 轴场强约为 1.1mT。一旦篡改磁体靠近，就可以在 Z 轴上看到篡改尝试的证据，由于存在额外的磁场，X 轴上的场强再次增加。

GUID-20210810-SS0I-7WW4-RJRC-5D7DZW9QG2HM-low.png图 7-9 TMAG5170 平行篡改测试：设置
GUID-20210810-SS0I-3N4T-GRVM-Q4DZPZRKZHVB-low.png图 7-10 TMAG5170 平行篡改测试：结果