屏蔽利用的是磁阻的特性，对于磁场，其类似于对电流的电阻。磁场通过磁阻最小的路径传输。与磁阻成相反关系的是磁导率。高磁导率的材料具有较低的磁阻，因此非常适合用于屏蔽目的，其实际上有助于会使磁场偏离霍尔传感器。根据其渗透性，所选择的材料必须具有一定的厚度，以确保该材料能够将磁场完全偏离器件，因为屏蔽材料也能够饱和。如果屏蔽材料出现饱和，过剩的磁通量就会继续通过材料并对传感器产生影响。

为了更加直观地呈现屏蔽的工作原理，图 6-1 和图 6-2 中提供了屏蔽层和集中器示例。这两张图片中都有几个 µT 的均匀磁场沿着 Z 轴导引穿过检查的物体。

第一张图片显示了 XZ 层的交叉部分，其中屏蔽外壳转移了大部分磁场，而球体内部空间的磁场强度大小要远远小于屏蔽层转移的磁场强度。

第二张图片在与上图相同磁场内的器件下插入了一个线圈集中器结构。这里也检查了 XZ 交叉部分。上方椎体结构将进入底部的大部分磁场引导向椎体尖端，由尖端退出并传输到下方椎体的尖端，然后继续向下移动。请注意，此类结构是第一个图片中屏蔽层的双重形式，不建议用作屏蔽几何形状。这也意味着，器件上方的任何导线或承载磁通的元件都可能对测量造成影响，包括调试期间，因此应确保这类器件受到控制并远离传感器。

请注意，对于图示，在制造或选择屏蔽体形状时，可能无法获得完美的球形，也无法按模拟中所示完全密封器件。这个图片用作概念展示，在给定的系统中，某些几何形状可能要比其他形状更加有效。

总的来说，如果选择屏蔽作为缓解磁场影响的方法，则请确保选择正确的材料，并且形状和大小合适，从而保证实现恰当的磁场转向。