ZHCAB58A January   2020  – August 2022 DP83826E

 

  1.   KSZ8081MNX/RNB 至 DP83826 系统更换
  2.   商标
  3. 1用途
  4. 2必需的更改
    1. 2.1 Strap 配置电阻器值
    2. 2.2 引脚 2 上的外部电容器
    3. 2.3 引脚 16 上的双工 Strap 配置（DP83826 基本模式）
    4. 2.4 启用自动协商时选择 10M（DP83826 基本模式）
    5. 2.5 为 EtherCAT 从器件的 Tx 和 Rx 活动配置 LED_1（DP83826 基本模式）
    6. 2.6 布局中的散热焊盘调整
    7. 2.7 物理层 ID 寄存器
  5. 3可能的更改
    1. 3.1 引脚 11 上的 MDIO 上拉电阻器
    2. 3.2 MDIO 寄存器写入
    3. 3.3 磁性元件中心抽头上的电容器
  6. 4信息变更
  7. 5引脚排列映射
    1. 5.1 引脚映射
  8. 6DP83826 Strap 配置
    1. 6.1 自动加载 (bootstrap) 配置
  9. 7修订历史记录

3.2 MDIO 寄存器写入

DP83826 和 KSZ8081MNX/RNB 都具有标准和扩展的 SMI/MIIM (MDIO) 寄存器。

DP83826 可以通过间接方法访问标准寄存器（使用 IEEE 802.3 中概述的标准寄存器 0x000D 和 0x000E）。但是，Microchip KSZ8081MNX/RNB 只能通过直接方法访问标准寄存器组（不使用 0x000D 和 0x000E 寄存器）。

KSZ8081MNX/RNB 还为所有扩展寄存器指定了 MMD 地址（例如“2 h”），而 DP83826 对所有扩展寄存器写入和读取只使用 MMD 地址 31 (0x001F)。