4 电荷泵（和 FET 导通）

BQ76952 使用电荷泵提供高于 BAT+ 的电压，以导通系统中使用的高侧 N 沟道 MOSFET。电荷泵的飞跨电容器在内部，电荷存储在器件外部的 CP1 电容器中。CP1 是 CHG 和 DSG 驱动器的电源。在图 4-1 至图 4-4 中，BQ76952 已设为 SHUTDOWN 模式，由 TS2 信号唤醒。当电荷泵达到特定电压时，它将关断，直到电压下降后才会再次运行。CP1 电压通常会产生纹波，先是缓慢下降，然后是快速上升。在图 4-1 中，留意 FET 导通前的缓慢循环和 FET 导通后的更快纹波，以及 R_GS 电阻器的负载和附加示波器探头负载的增加。图 4-2 展示了低电压下电荷泵升压的更多细节。正常电压下，电荷泵电压的上升时间较长，如图 4-3 所示。使用较大的 CP1 电容器也会延长上升时间，如图 4-4 所示。 注意，在 FET 导通时，电荷泵仍在转换。对于 BQ769x2 系列器件，不建议使用大于 2.2μF 的 CP1 电容器。

CP1 信号启动时的圆形形状表明电荷泵可以在较低的电压下产生更多电流。CP1 是高侧 FET 驱动器的电源。当 CHG 或 DSG 导通时，CHG 和 DSG 使 FET 导通的电流来自 CP1 电容器。由于理想开关电荷的近似值不会丢失，且导通前 CP1 电容器上的电荷在导通后分布在 CP1 和 FET 栅极电容之间，

所以导通后的电压将是初始电压的一个比值。

其中

• V1 是导通 FET 之前的电荷泵电压
• V2 是导通 FET 之后的电荷泵和 FET 栅极电压
• C_CP1 是电荷泵电容器
• N 是 FET 开关的次数
• Ciss 是所用 FET 的栅极电容

电荷泵需要时间来补充传输到栅极的电荷，并将电压恢复到稳定的 CP1 电压范围。图 4-5 展示了使用 470nF C_CP1 并导通 24 个 CSD19536KCS FET 时，电荷泵电压下降。图 4-6 展示了使用 2μF C_CP1 并导通同样 24 个 FET 时，电荷泵电压下降的幅度更小。