ZHCSYH5A June   2025  – September 2025 XTR200

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 引脚功能说明
      2. 6.3.2 使用外部晶体管
      3. 6.3.3 错误标志
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 电流输出模式
      2. 6.4.2 电压输出模式
      3. 6.4.3 输出已禁用
      4. 6.4.4 热关断
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 输入电压
      2. 7.1.2 误接线保护
      3. 7.1.3 电流输出模式下的功率耗散
      4. 7.1.4 估算结温
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 现场变送器的模拟输出电路
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 其他应用
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1.     53
    2. 10.1 卷带包装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQC|10
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.2 使用外部晶体管

XTR200 集成了一个输出晶体管，能够向各种负载电阻提供指定的输出电流。然而，在采用高电源电压的应用中，使用外部晶体管会减少 XTR200 中耗散的功率。电源相关建议 部分提供了在使用内部输出晶体管时有关电源电压和 PCB 温度限制的有用信息。确定外部晶体管的额定值为最大预期电源电压，并且能够耗散负载电流和晶体管上的压降产生的功率。

图 6-1 和 图 6-2 显示了外部 PNP 或 PMOS 晶体管与 XTR200 配合使用时的电流流动。一部分负载电流流经 IS 和 VG 引脚之间的内部 1kΩ 电阻器，产生一个可导通外部晶体管的电压。IS 和 VG 引脚之间的电压由图中齐纳二极管表示的钳位电路限制在大约 2V。一小部分输出负载电流仍会流经 XTR200 的内部 PMOS，但会与流经外部晶体管的电流再次合并。当使用外部 PNP 晶体管时，基极电流通过内部 PMOS (Q2) 再循环，不会降低输出电流的精度。

所有负载电流都流经 XTR200 中的片上 50Ω 电阻器，该电阻器用于测量输出电流和检测故障条件。因此，使用外部晶体管不会改变 XTR200 的传递函数或增加最大输出电流。通过保护内部输出 PMOS 的同一电路，防止外部晶体管出现短路故障。


XTR200 外部 PNP 晶体管的电流路径
图 6-1 外部 PNP 晶体管的电流路径

XTR200 外部 PMOS 晶体管的电流路径
图 6-2 外部 PMOS 晶体管的电流路径