ZHCS502H November   2011  – June 2024 UCC27523 , UCC27525 , UCC27526

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 说明(续)
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VDD 和欠压锁定
      2. 7.3.2 工作电源电流
      3. 7.3.3 输入级
      4. 7.3.4 使能功能
      5. 7.3.5 输出级
      6. 7.3.6 低传播延迟和紧密匹配的输出
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 输入到输出逻辑
        2. 8.2.2.2 启用和禁用功能
        3. 8.2.2.3 VDD 辅助电源电压
        4. 8.2.2.4 传播延迟
        5. 8.2.2.5 驱动电流和功率损耗
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
    3. 10.3 散热注意事项
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

输出级

UCC2752x 器件输出级的上拉电阻采用独特的架构,能够在特别需要时,也就是在电源开关导通转换的米勒平台区域期间(此时电源开关漏极或集电极电压经历 dv/dt)提供最高的峰值拉电流。输出级上拉结构具备一个 P 沟道 MOSFET 与一个额外的 N 沟道 MOSFET(并联)。N 沟道 MOSFET 的功能是提供峰值源电流的短暂提升,从而实现快速导通。这是通过在输出状态从低电平变为高电平时,在短时间内短暂导通 N 沟道 MOSFET 来实现的。

UCC27523 UCC27525 UCC27526 UCC2752x 栅极驱动器输出结构图 7-6 UCC2752x 栅极驱动器输出结构

ROH 参数(请参阅节 6.5)是直流测量值,仅代表 P 沟道器件的导通电阻。这是因为 N 沟道器件在直流条件下保持在关断状态,并且仅在输出状态从低电平变为高电平时短暂导通。请注意,在该短暂导通期间,UCC2752x 上拉级的有效电阻远低于 ROH 参数所表示的有效电阻。

UCC2752x 中的下拉结构仅包含 N 沟道 MOSFET。ROL 参数(请参阅节 6.5)也是一项直流测量,它表示器件中的下拉级的阻抗。在 UCC2752x 中,根据设计注意事项估算,混合上拉结构在导通期间的有效电阻约为 1.5 × ROL

UCC2752x 中的每个输出级都能提供 5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流脉冲。输出电压在 VDD 和 GND 之间摆动提供轨到轨运行,这归功于提供极低压降的 MOS 输出级。MOSFET 体二极管的存在还为开关过冲和下冲提供低阻抗,这意味着在许多情况下无需外部肖特基二极管钳位。这些驱动器的输出能够承受 500mA 的反向电流,而不会造成器件损坏或逻辑故障。

UCC2752x 器件尤其适用于双极性、对称驱动栅极变压器应用,在这种应用中,变压器的初级绕组由 OUTA 和 OUTB 驱动,输入 INA 和 INB 互为补充。这是因为这些器件的 MOS 输出级在高电平 (VOH) 和低电平 (VOL) 状态下都能提供极低压降,而且驱动器输出级的阻抗也较低,所有这些都可以缓解有关变压器退磁和磁通不平衡的担忧。低传播延迟也可确保针对高频应用的准确复位。

对于在功率 MOSFET 导通或关断间隔期间具有零电压开关的应用,即使不存在米勒平台区域,该驱动器也能提供高峰值电流以实现快速开关。这种情况通常发生在同步整流器应用中,因为体二极管通常在功率 MOSFET 接通之前就已导通。