ZHCSYT1A August 2025 – October 2025 TXE8116
PRODUCTION DATA
| 最小值 | 最大值 | 单位 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| RESET | |||||
| tw | 复位脉冲持续时间，SDO CLOAD = 100pF（图 6-1） | 100 | ns | ||
| tREC | 复位恢复时间，SDO CLOAD = 100pF（图 6-1） | 100 | ns | ||
| tRESET | 复位时间，SDO CLOAD = 100pF（图 6-1） | 80 | ns | ||
| 上电复位 | |||||
| tFT | 下降速率（图 8-3）（图 8-4） | 0.1 | 2000 | ms | |
| tRT | 上升速率（图 8-3）（图 8-4） | 0.1 | 2000 | ms | |
| tTRR_GND | 重新开始斜坡的时间（当 VCC 降至 GND 时）（图 8-3） | 1 | µs | ||
| tTRR_POR50 | 重新开始斜坡的时间（当 VCC 降至 VPOR_MIN – 50mV 时）（图 8-4） | 40 | µs | ||
| VCC_GH | 当 tVCC_GW = 1µs 时，VCC 可能会受到干扰但不会导致功能中断的电平（图 8-5） | 1.2 | V | ||
| tVCC_GW | 当 VCC_GH = 0.5 × VCC 时，不会导致功能中断的干扰宽度（图 8-5） | 10 | µs | ||
| 失效防护 IO | |||||
| fsEN | 失效防护 IO 启用时间（100pF 负载）（图 6-2） | 正常模式下输出高电平，失效防护模式下输出低电平 | 100 | ns |
|
| 正常模式下输出低电平，失效防护模式下输出高电平 | 100 | ns |
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| 正常模式下输出高电平，失效防护模式下为输入状态（500Ω 下拉负载） | 70 | ns |
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| 正常模式下输出低电平，失效防护模式下为输入状态（500Ω 下拉负载） | 70 | ns |
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| fsDIS | 失效防护 IO 禁用时间（100pF 负载）（图 6-2） | 正常模式下输出高电平，失效防护模式下输出低电平 | 100 | ns | |
| 正常模式下输出低电平，失效防护模式下输出高电平 | 100 |
ns |
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| 正常模式下为输入状态，失效防护模式下输出高电平（500Ω 下拉负载） | 110 | ns |
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| 正常模式下为输入状态，失效防护模式下输出低电平（500Ω 下拉负载） | 90 |
ns |
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| 数字 IO | |||||
| TGW | 数字干扰滤波器宽度 | 70 | 230 | ns | |