ZHCSUK2R August 2003 – May 2025 TPS732
PRODUCTION DATA
TPS732 使用一个 NMOS 导通晶体管来实现极低压降。当 (VIN – VOUT) 低于压降电压 (VDO) 时，NMOS 导通晶体管处于其运行的线性区域并且输入到输出电阻是 NMOS 导通晶体管的 RDS(ON)。
对于负载电流的较大阶跃变化，TPS732 要求一个从 VIN 到 VOUT 的更大压降以避免降低瞬态响应的性能。这个瞬变压降区域的边界大约为 DC 输出的两倍。在这个边界之上的 (VIN – VOUT) 的值提供了正常瞬态响应。
在瞬态压降区域内运行会增加恢复时间。从一个负载瞬态中恢复所需的时间是负载电流速率变化幅度、负载电流的变化速率、和可用动态空间（VIN 至 VOUT 压降）的函数。在最差情况下（(VIN – VOUT) 的满量程瞬时负载变化接近 DC 压降水平），TPS732 可在几百毫秒内返回特定的调节精度。