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TPS732

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具有反向电流保护和使能功能的 250mA 高精度超低压降稳压器

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Rating Catalog Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Iout (max) (A) 0.25 Output options Adjustable Output, Fixed Output Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.3, 1.5, 1.6, 1.8, 1.9, 2.5, 3, 3.3, 5 Noise (µVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 32 Iq (typ) (mA) 0.4 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Reverse Current Protection Thermal resistance θJA (°C/W) 53 Load capacitance (min) (µF) 0 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 40 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Iout (max) (A) 0.25 Output options Adjustable Output, Fixed Output Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.3, 1.5, 1.6, 1.8, 1.9, 2.5, 3, 3.3, 5 Noise (µVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 32 Iq (typ) (mA) 0.4 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Reverse Current Protection Thermal resistance θJA (°C/W) 53 Load capacitance (min) (µF) 0 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 40 Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-223 (DCQ) 6 45.89 mm² 6.5 x 7.06 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3
  • 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
  • 输入电压范围:1.7V 至 5.5V
  • 超低压降电压:250mA 时典型值为 40mV
  • 无论是否使用可选输出电容器,均可实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
  • 低噪声:30µVRMS 典型值(从 10kHz 至 100kHz)
  • 初始精度为 0.5%
  • 总体精度(包括线路、负载和温度精度)为 1%
  • 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
  • 热关断和指定最小和最大电流限制保护
  • 提供了多个输出电压版本:
    • 从 1.2V 至 5V 的可调输出
    • 1.2V 至 5.5V 可调节输出
    • 可提供定制输出
  • 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
  • 输入电压范围:1.7V 至 5.5V
  • 超低压降电压:250mA 时典型值为 40mV
  • 无论是否使用可选输出电容器,均可实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
  • 低噪声:30µVRMS 典型值(从 10kHz 至 100kHz)
  • 初始精度为 0.5%
  • 总体精度(包括线路、负载和温度精度)为 1%
  • 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
  • 热关断和指定最小和最大电流限制保护
  • 提供了多个输出电压版本:
    • 从 1.2V 至 5V 的可调输出
    • 1.2V 至 5.5V 可调节输出
    • 可提供定制输出

TPS732 低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定,甚至可实现无电容器运行。此器件还提供高反向阻断(低反向电流)和接地引脚电流,该电流在所有输出电流上几乎保持恒定。

TPS732 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。未启用时,电流消耗小于 1µA,适用于便携式应用。极低的输出噪声(0.1µF CNR 时为 30µVRMS)使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。

TPS732 低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定,甚至可实现无电容器运行。此器件还提供高反向阻断(低反向电流)和接地引脚电流,该电流在所有输出电流上几乎保持恒定。

TPS732 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。未启用时,电流消耗小于 1µA,适用于便携式应用。极低的输出噪声(0.1µF CNR 时为 30µVRMS)使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。

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用户指南 DEM-SOT223LDO Demonstration Fixture 2003年 10月 15日
更多文献资料 DMOS Delivers Dramatic Performance Gains to LDO Regulators (EDN mag) 2001年 2月 14日

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