TPS732
- 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
- 输入电压范围:1.7V 至 5.5V
- 超低压降电压:250mA 时典型值为 40mV
- 无论是否使用可选输出电容器,均可实现出色的负载瞬态响应
- NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
- 低噪声:30µVRMS 典型值(从 10kHz 至 100kHz)
- 初始精度为 0.5%
- 总体精度(包括线路、负载和温度精度)为 1%
- 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
- 热关断和指定最小和最大电流限制保护
- 提供了多个输出电压版本:
- 从 1.2V 至 5V 的可调输出
- 1.2V 至 5.5V 可调节输出
- 可提供定制输出
TPS732 低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定,甚至可实现无电容器运行。此器件还提供高反向阻断(低反向电流)和接地引脚电流,该电流在所有输出电流上几乎保持恒定。
TPS732 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。未启用时,电流消耗小于 1µA,适用于便携式应用。极低的输出噪声(0.1µF CNR 时为 30µVRMS)使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 7 | 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS732 具有反向电流保护功能的无电容 NMOS 250mA 低压降稳压器 数据表 (Rev. S) | PDF | HTML | 2026年 4月 22日 | ||
| 应用手册 | LDO 噪声揭秘 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2020年 9月 16日 | |
| 技术文章 | LDO Basics: Thermals – How hot is your application? | PDF | HTML | 2017年 9月 20日 | |||
| 应用手册 | LDO PSRR Measurement Simplified (Rev. A) | PDF | HTML | 2017年 8月 9日 | |||
| 用户指南 | TPS73x01DRBEVM-518 User's Guide | 2009年 8月 13日 | ||||
| 用户指南 | DEM-SOT223LDO Demonstration Fixture | 2003年 10月 15日 | ||||
| 更多文献资料 | DMOS Delivers Dramatic Performance Gains to LDO Regulators (EDN mag) | 2001年 2月 14日 |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。