ZHCSM88H July 2008 – October 2023 TPS54331
PRODUCTION DATA
必须使用低 ESR 陶瓷旁路电容器将 VIN 引脚旁路至接地。注意尽量减少由旁路电容器连接、VIN 引脚和环流二极管的阳极形成的环路区域。推荐的典型旁路电容器是采用 X5R 或 X7R 电介质的 10μF 陶瓷电容器，理想情况下应尽量靠近 VIN 引脚和环流二极管阳极的源极放置。图 8-16 展示了 PCB 布局示例。GND 引脚必须在器件的引脚处连接至 PCB 接地平面。低侧 MOSFET 的源极必须直接连接到顶侧 PCB 接地区域，而此接地区域用于连接输入电容器和输出电容器的接地侧以及环流二极管的阳极。PH 引脚必须连接至环流二极管的阴极以及输出电感器。由于 PH 连接是开关节点，因此环流二极管和输出电感器的放置必须非常靠近 PH 引脚，PCB 导体区域必须尽可能地减小，以防止过度电容耦合。对于满额定负载运行，顶侧接地区域必须提供足够的散热面积。TPS54331 器件使用熔合引线框架，以便 GND 引脚充当从内核散热的导热路径。许多应用具有更大的内部或背面接地平面面积，顶侧接地区域可以使用器件下方或附近的多个过孔连接到这些区域，以帮助散热。可以大致按如图所示方式放置附加外部元件。使用替代布局方案也许能够获得可接受的性能；不过，该布局经验证效果良好，可用作指南。