以下公式显示了在连续导通模式（CCM） 下运行时如何估算器件的功率损耗。如果器件在不连续导通模式（DCM）或脉冲跳跃 Eco-mode 下工作，则不得使用这些公式。
器件功率损耗包括：
- 导通损耗：
Pcon = IOUT2 × RDS(on） × VOUT/VIN
其中
- IOUT 为输出电流（A）。
- RDS(on） 为高侧 MOSFET 的导通电阻（Ω）。
- VOUT 为输出电压（V）。
- VIN 为输入电压（V）。
- 开关损耗：
Psw = 0.5 × 10-9 × VIN2 × IOUT × ƒSW
其中
- 栅极电荷损耗：
Pgc = 22.8 × 10-9 × ƒSW
- 静态电流损耗
Pq = 0.11 × 10-3 × VIN
因此：
Ptot = Pcon + Psw + Pgc + Pq
其中
对于给定的 TA：
TJ = TA + Rth × Ptot
其中
- TJ 为结温（°C）。
- TA 为环境温度（°C）。
- Rth 为封装的热阻（°C/W）。
对于给定的 TJMAX = 150°C：
TAMAX = TJMAX – Rth × Ptot
其中
- TJMAX 为最大结温（°C）。
- TAMAX 为最高环境温度（°C）。