ZHCSQB8D July   2021  – March 2025 TPS38700-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 器件状态图
      2. 7.3.2 内置自检和配置负载
      3. 7.3.3 CLK32K
      4. 7.3.4 备份状态
      5. 7.3.5 失效防护状态
      6. 7.3.6 转换序列
        1. 7.3.6.1 序列 1：上电
        2. 7.3.6.2 序列 2：紧急断电
        3. 7.3.6.3 序列 3：进入睡眠状态
        4. 7.3.6.4 序列 4：退出睡眠状态
        5. 7.3.6.5 序列 5 和 6：从工作和睡眠状态下断电
        6. 7.3.6.6 序列 7：由于 NRST_IN 而退出睡眠状态
        7. 7.3.6.7 序列 8：由于 NRST_IN 而复位
        8. 7.3.6.8 序列 9：失效防护断电
        9. 7.3.6.9 输出时序
      7. 7.3.7 I2C
        1. 7.3.7.1 数据包错误检查 (PEC)
    4. 7.4 寄存器映射表
      1. 7.4.1 寄存器说明
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 汽车类多通道序列发生器和监视器
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
      4. 8.2.4 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 电源指南
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12.   机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

2.2V ≤ VDD ≤ 5.5V，NRST/NIRQ = 10kΩ 至 VDD，NRST/NIRQ 负载 = 10pF，并且在自然通风条件下的工作温度范围（–40°C 至 125°C）内测得，除非另有说明。典型值为 TA = 25°C 下的值，在典型条件 VDD = 3.3V 下。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
常用参数
VDD 输入电源电压  2.2 5.5 V
VBBAT 备用电池电压范围 1.85 5.5 V
UVLO_VDDR UVLO VDD 上升阈值 2.2 V
UVLO_VDDF UVLO VDD 下降阈值/切换到 VBBAT 1.90 2 V
UVLO_VBBAT UVLO 备用电池 下降阈值 1.85 V
POR 上电复位电压，所有输出在高于该值时稳定 下降阈值 1.39 V
IDD 输入到 VDD 引脚的电源电流
ACT = 高电平，SLEEP = 高电平，RTC = 有效
 		 VDD ≤ 5.5V，上电序列完成 45 75 µA
IDD 输入到 VDD 引脚的电源电流
ACT = 低电平，SLEEP = 低电平，RTC = 有效		 VDD ≤ 5.5V，断电序列完成
 		 35 60 µA
IBBAT 来自 VBBAT 的电源电流 VBBAT ≤ 5.5V 35 60 µA
ILKG_NRST 输出漏电流 (NRST) VDD = VNRST = 5.5V 300 nA
ILKG_NIRQ 输出漏电流 (NIRQ) VDD = VNIRQ = 5.5V 300 nA
ACT_L 逻辑低电平输入  0.36 V
ACT_H 逻辑高电平输入  0.84 VDD - 0.2 V
SLEEP_L 逻辑低电平输入 0.36 V
SLEEP_H 逻辑高电平输入 0.84 VDD - 0.2 V
ACT 内部下拉电阻 100 kΩ
SLEEP 内部下拉电阻 100 kΩ
ENx 输出高电平 推挽配置，Io=1mA VDD-0.2 V
输出低电平 推挽或开漏（10kΩ 上拉） 0.1 V
R_ENx 使能输出电阻 推挽配置 200 Ω
NRST 输出低电平 开漏（10kΩ 上拉） 0.1 V
NIRQ 输出低电平 开漏（10kΩ 上拉） 0.1 V
CLK32K 泄漏测试 开漏，4.7kΩ 上拉至 1.8V，10pF 电容负载 100 nA
输出低电平 开漏，IO =-1mA，上拉至 1.8V，10pF                电容负载 0.1 V
Acc_CLK32K 早期引导精度 t < 50ms，VDD > VDDmin -10 10 %
工作精度 t > 1s，VDD > VDDmin -100 100 ppm
XTAL 故障 晶体频率故障检测 -10 10 %
OSC 内部振荡器容限 -5 5 %
Ilkg(BBAT) 从 VBBAT 获得的漏电流 VBBAT > 1.85V 300 nA
TSD 热关断 165 ℃
TSD 迟滞 热关断迟滞 25 ℃
VIH_ALT NEM_PD、NRST_IN、NPWR_BTN 引脚 10、11、12，低电平有效，开漏 1.1 V
VIL_ALT NEM_PD、NRST_IN、NPWR_BTN 引脚 10、11、12，低电平有效，开漏 0.36 V
I2C 电气规格
CB SDA 和 SCL 的容性负载 400 pF
SDA、SCL 低电平阈值，OTP = 1.2V 0.36 V
SDA、SCL 高电平阈值，OTP = 1.2V 0.84 V
SDA、SCL 低电平阈值，OTP = 1.8V 0.54 V
SDA、SCL 高电平阈值，OTP = 1.8V 1.26 V
SDA、SCL 低电平阈值，OTP = 3.3V 量产型号 0.84 V
SDA、SCL 低电平阈值，OTP = 3.3V 量产型号 2.31 V
SDA、SCL 低电平阈值，OTP = 5V 1.5 V
SDA、SCL 高电平阈值，OTP = 5V 3.5 V
SDA 输出低电平，灌电流为 3mA 0.2 V