ZHCSIV1G September   2018  – April 2026 TPS1663

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  热插拔和浪涌电流控制
        1. 8.3.1.1 热调节环路
      2. 8.3.2  欠压锁定 (UVLO)
      3. 8.3.3  过压保护 (OVP)
      4. 8.3.4  过载保护和短路保护
        1. 8.3.4.1 过载保护
        2. 8.3.4.2 短路保护
          1. 8.3.4.2.1 通过输出短路启动
      5. 8.3.5  输出功率限制、PLIM（TPS16632 和 TPS16637）
      6. 8.3.6  电流监测输出 (IMON)
      7. 8.3.7  故障响应 (FLT)
      8. 8.3.8  电源正常输出 (PGOOD)
      9. 8.3.9  IN、P_IN、OUT 和 GND 引脚
      10. 8.3.10 热关断
      11. 8.3.11 低电流关断控制 (SHDN)
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 设定限流阈值 R(ILIM) 选择
        2. 9.2.2.2 欠压锁定和过压设定点
        3. 9.2.2.3 设置输出电压斜坡时间 (tdVdT)
          1. 9.2.2.3.1 支持元件选择：RPGOOD 和 C(IN)
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 系统示例
      1. 9.3.1 简单 24V 电源路径保护
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 时序要求

–40°C ≤ TA = TJ ≤ +125°C，4.5V < V(IN) = V(P_IN) < 60V，V(SHDN) = 2V，R(ILIM) = 30kΩ，IMON = PGOOD = FLT = OPEN，C(OUT) = 1μF，C(dVdT) = OPEN。（所有电压均以 GND 为基准（除非另有说明））
参数 测试条件 最小值 标称值 最大值 单位
UVLO INPUT (UVLO)
UVLO_ton(dly) UVLO 开关导通延迟 当 C(dVdT) ≥ 10nF [C(dVdT) 单位为 nF]，UVLO 升高（比 V(UVLOR) 高 100mV）导致 V(OUT)= 100mV 742 + 49.5x C(dVdT) µs
UVLO_toff(dly) UVLO 开关关断延迟 UVLO 下降（比 V(UVLOF) 低 20mV）导致 FLT 下降 9 11 16 µs
tUVLO_FLT(dly) UVLO 导致故障置为无效延迟 UVLO 上升导致 FLT 上升延迟 500 617 700 µs
过压保护输入 (OVP)
OVP_toff(dly) OVP 开关关断延迟 OVP 上升（比 V(OVPR) 高 20mV）导致 FLT 下降 8.5 11 14 µs
OVP_ton(dly) OVP 开关禁用延迟 当 C(dVdT) ≥ 10nF [C(dVdT) 单位为 nF]，OVP 下降（比 V(OVPF) 低 100mV）导致 FET 导通 150 + 49.5x C(dVdT) µs
tOVC(dly) 过压钳位运行的最长持续时间 仅限 TPS16632 162 ms
OVC_tFLT(dly) 过压钳位运行中的 FLT 置为有效延迟 仅限 TPS16632 617 µs
关断控制输入 (SHDN)
tSD(dly) 关断入口延迟 SHDN 下降（低于 V(SHUTF)）导致 FET 关断 0.8 1 1.5 µs
电流限值
tFASTTRIP(dly) 热短接响应时间 I(OUT) > I(SCP) 1 µs
软短接响应 I(FASTTRIP) < I(OUT) < I(SCP) 2.2 3.2 4.5 µs
tCL_PLIM(dly) 最大持续时间：电流和（功率限制：TPS16632 和 TPS16637） 129 162 202 ms
tCL_PLIM_FLT(dly) FLT延迟：电流和（功率限制：TPS16632 和 TPS16637） 1.09 1.3 1.6 ms
输出斜坡控制 (dVdT)
t(FASTCHARGE) 快速充电中的输出斜坡时间 C(dVdT) = 开路，10% 至 90% V(OUT)，C(OUT) = 1µF；V(IN) = 24V 350 495 700 µs
t(dVdT) 输出斜坡时间 C(dVdT) = 22nF，10% 至 90% V(OUT)，V(IN) = 24V 8.35 ms
电源正常 (PGOOD)
tPGOODR PGOOD 延迟（抗尖峰脉冲）时间 上升沿 8 11.5 13 ms
tPGOODF PGOOD 延迟（抗尖峰脉冲）时间 下降沿 8 10 13 ms
热保护
t(TSD_retry) TSD 中的重试延迟 MODE = GND 500 648 800 ms
t(Treg_timeout) 热调节超时 1.1 1.25 1.5 s