ZHCSIV1G September   2018  – April 2026 TPS1663

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  热插拔和浪涌电流控制
        1. 8.3.1.1 热调节环路
      2. 8.3.2  欠压锁定 (UVLO)
      3. 8.3.3  过压保护 (OVP)
      4. 8.3.4  过载保护和短路保护
        1. 8.3.4.1 过载保护
        2. 8.3.4.2 短路保护
          1. 8.3.4.2.1 通过输出短路启动
      5. 8.3.5  输出功率限制、PLIM（TPS16632 和 TPS16637）
      6. 8.3.6  电流监测输出 (IMON)
      7. 8.3.7  故障响应 (FLT)
      8. 8.3.8  电源正常输出 (PGOOD)
      9. 8.3.9  IN、P_IN、OUT 和 GND 引脚
      10. 8.3.10 热关断
      11. 8.3.11 低电流关断控制 (SHDN)
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 设定限流阈值 R(ILIM) 选择
        2. 9.2.2.2 欠压锁定和过压设定点
        3. 9.2.2.3 设置输出电压斜坡时间 (tdVdT)
          1. 9.2.2.3.1 支持元件选择：RPGOOD 和 C(IN)
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 系统示例
      1. 9.3.1 简单 24V 电源路径保护
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.5.1 布局指南

  • 在所有应用下，TI 建议在 IN 端子和 GND 之间使用 0.1µF 或更高值的陶瓷去耦电容器。
  • 高载流电源路径连接必须尽可能短，并且其大小必须能够承载至少两倍的满载电流。有关典型的 PCB 布局示例，请参阅 图 9-11 和 图 9-12。
  • 使所有 TPS1663x 系列支持元件 R(ILIM )、R(PLIM)、C(dVdT)、R(IMON)、UVLO 和 OVP 电阻器靠近其相应的连接引脚。采用最短的布线长度将元件另一端连接至 GND。
  • 为了减少对电流限制和功率限制精度的寄生效应，应使将 R(ILIM)、R(PLIM) 元件连接该器件的布线尽可能短。这些走线不得与电路板中的开关信号发生耦合。
  • 必须将保护器件（如 TVS、缓冲器、电容器或二极管）放置于空间上靠近有意保护的器件的位置上，并采用短线布线，以降低电感。例如，TI 建议使用保护肖特基二极管来解决由于电感负载切换而导致的负瞬变，并且它必须位于物理上靠近 OUT 和 GND 引脚的位置。
  • 散热注意事项：正确安装后，PowerPAD 封装可显著提高冷却能力。要在额定功率下运行，PowerPAD 必须直接焊接到器件正下方的电路板 GND 平面。在电流更高的应用中，其他平面（例如电路板的底部）可用于增加散热。