ZHCSIV1G September 2018 – April 2026 TPS1663
PRODUCTION DATA
图 5-1 TPS16630 RGE 封装,24 引脚 VQFN(顶视图)
图 5-2 TPS16630 PWP 封装,20 引脚 HTSSOP(顶视图)
图 5-4 TPS16632 和 TPS16637 RGE 封装,24 引脚 VQFN(顶视图)| 引脚 | 类型(1) | 说明 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 名称 | TPS16630 | TPS16632 和 TPS16637 | |||||
| VQFN | HTSSOP | VQFN | HTSSOP | ||||
| IN | 1 | 1 | 1 | 1 | P | 电源输入。连接到内部 FET 的漏极。 | |
| 2 | 2 | 2 | 2 | ||||
| — | 3 | — | 3 | ||||
| P_IN | 5 | 6 | 5 | 6 | P | 器件的电源电压。始终将 P_IN 直接连接到 IN。 | |
| UVLO | 6 | 7 | 6 | 7 | I | 用于设置可编程欠压锁定阈值的输入。欠压事件会关断内部 FET 并将 FLT 置为有效,以表示电源故障。 | |
| OVP | 7 | 8 | — | — | I | 用于设置可调节过压保护阈值的输入(仅适用于 TPS16630)。过压事件会关断内部 FET 并将 FLT 置为有效,以表示过压故障。 | |
| PLIM | — | — | 7 | 8 | I | 用于设置可调节输出功率限制阈值的输入(TPS16632 和 TPS16637)。在 PLIM 和 GND 之间连接一个电阻器来设置输出功率限制。如果不使用 PLIM 功能,可将 PLIM 连接到 GND。请参阅输出功率限制,PLIM(仅限 TPS16632)部分。 | |
| GND | 8 | 9 | 8 | 9 | — | 将 GND 连接到系统地。 | |
| dVdT | 9 | 10 | 9 | 10 | I/O | 该引脚与 GND 之间的电容器可设置输出电压转换率。将该引脚悬空可使器件在热调节模式中上电,从而使输出快速充电。请参阅热插拔和浪涌电流控制部分。 | |
| ILIM | 10 | 11 | 10 | 11 | I/O | 该引脚上连接到 GND 的电阻器可设置过载限制。请参阅过载保护和短路保护部分。 | |
| 模式 | 11 | 12 | 11 | 12 | I | 用于过载故障响应的模式选择引脚。请参阅器件功能模式部分。 | |
| SHDN | 12 | 13 | 12 | 13 | I | 关断引脚。将 SHDN 拉低会使器件进入功耗低关断模式。循环 SHDN 引脚电压会复位因故障情况而锁闭的器件。 | |
| IMON | 13 | 14 | 13 | 14 | O | 模拟电流监视器输出。该引脚通过内部 FET 提供按比例降低的电流。该引脚与 GND 之间的电阻器可将电流成比例转换为电压。如果未使用,请将其保持悬空状态。 | |
| FLT | 14 | 15 | 14 | 15 | O | 故障事件指示器。该引脚是开漏输出。如果使用,请保持悬空或连接到 GND。 | |
| PGOOD | 16 | 16 | 16 | 16 | O | 高电平有效。高电平表示内部 FET 已增强。当内部 FET 在故障期间被关断或 SHDN 被拉至低电平时,PGOOD 变为低电平。如果未使用 PGOOD,则连接到 GND 或将其保持悬空。 | |
| OUT | 17 | 18 | 17 | 18 | P | 器件的功率输出。 | |
| 18 | 19 | 18 | 19 | ||||
| — | 20 | — | 20 | ||||
| N.C | 3 | 4 | 3 | 4 | — | 无连接。 | |
| 4 | 5 | 4 | 5 | ||||
| 15 | 17 | 15 | 17 | ||||
| 19 | — | 19 | — | ||||
| 20 | — | 20 | — | ||||
| 21 | — | 21 | — | ||||
| 22 | — | 22 | — | ||||
| 23 | — | 23 | — | ||||
| 24 | — | 24 | — | ||||
| PowerPAD™ | — | 将 PowerPAD 连接到 GND 平面以实现散热。请勿将 PowerPAD 用作与 GND 之间的唯一电气连接。 | |||||