ZHCSO95C
June 2022 – June 2026
TPS1641
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
器件比较表
5
引脚配置和功能
6
规格
6.1
绝对最大额定值
6.2
ESD 等级
6.3
建议运行条件
6.4
热性能信息
6.5
电气特性
6.6
时序要求
6.7
典型特性
7
详细说明
7.1
概述
7.2
功能方框图
7.3
特性说明
7.3.1
使能和关断输入 (EN/SHDN)
7.3.2
过压保护 (OVP)
7.3.3
输出压摆率和浪涌电流控制 (dVdt)
7.3.4
TPS16412、TPS16413、TPS16416 和 TPS16417 具有有源电流限制 (ILIM)
7.3.5
使用 TPS16410、TPS16411、TPS16414 和 TPS16415 的有源功率限制 (PLIM)
7.3.5.1
TPS16410 和 TPS16411 的内部电流限制
7.3.6
针对瞬态负载的过流保护 (IOCP) 和消隐时间(IDLY 或 PDLY)
7.3.7
快速跳变和短路保护
7.3.8
IOCP 引脚上的模拟负载电流监测器 (IMON)
7.3.9
IN 到 OUT 短路检测(TPS16410、TPS16411、TPS16412、TPS16413)
7.3.10
热关断和过热保护
7.3.11
故障响应和指示 (FLT)
7.4
器件功能模式
8
应用和实施
8.1
应用信息
8.2
典型应用:低功耗电路 (LPC) 的 15W 功率限制
8.2.1
设计要求
8.2.2
详细设计过程
8.2.2.1
设置过压设定点
8.2.2.2
设置输出过流设定点 (IOCP)
8.2.2.3
设置输出功率限制
8.2.2.4
监控输出电流
8.2.2.5
限制浪涌电流和设置输出压摆率
8.2.3
应用曲线
8.3
系统示例
8.3.1
DC/DC 或反激式转换器输出端的精确功率或电流限制
8.4
最佳设计实践
8.5
电源相关建议
8.5.1
瞬态保护
8.6
布局
8.6.1
布局指南
8.6.2
布局示例
9
器件和文档支持
9.1
接收文档更新通知
9.2
支持资源
9.3
商标
9.4
静电放电警告
9.5
术语表
10
修订历史记录
11
机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
DRC|10
MPDS117L
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
DRC|10
QFND013N
订购信息
zhcso95c_oa
zhcso95c_pm
8.6.1
布局指南
确保高电流电源路径连接尽可能短,并且其大小必须能够承载至少两倍的满负载电流。
必须在 IC 的终端处,将 GND (PowerPAD) 引脚连接至 PCB 接地平面,且迹线尽可能短。PCB 接地必须是电路板上的一个铜层或铜岛。TI 建议为电子保险丝留出一个单独的接地平面岛。该平面不承载任何高电流,并用作电子保险丝的所有关键模拟信号的静态接地基准。使用星型连接将器件接地平面连接至系统电源接地平面。
去耦电容器 (C
IN
) 的最优放置位置是紧靠器件的 IN 引脚和 GND 引脚的位置。请注意,应尽可能缩减由旁路电容器连接、IN 引脚和 IC 的 GND 引脚组成的环路面积。
将以下支持元件放置在靠近连接引脚的位置:
R
ILM
或 R
PLM
R
IOCP
C
DLY
C
dVdT
OVP 的电阻器
采用最短的走线将元件另一端连接至器件的 GND 引脚。为了减少对电流限制、过流消隐间隔和软启动时间的寄生效应,应使将这些元件连接该器件的布线尽可能短。
由于 ILM 引脚上的偏置电流直接控制器件的过流保护行为,因此这些节点的 PCB 布线必须远离任何噪声(开关)信号。
将保护器件(如 TVS、缓冲器、电容器或二极管)放置在紧靠保护器件要保护的器件的物理位置。使用短走线布线这些保护器件以减小电感。例如,TI 建议使用保护肖特基二极管来解决由于电感负载切换引起的负瞬变。TI 建议在 OUT 和 GND 之间添加一个 1μF 或更大的陶瓷去耦电容器 (C
OUT
)。这些元件必须放置在靠近 OUT 引脚的位置。请注意,应尽可能缩减由肖特基二极管和旁路电容器连接、OUT 引脚和 IC 的 GND 引脚组成的环路面积。