ZHCSO95C June   2022  – June 2026 TPS1641

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  使能和关断输入 (EN/SHDN)
      2. 7.3.2  过压保护 (OVP)
      3. 7.3.3  输出压摆率和浪涌电流控制 (dVdt)
      4. 7.3.4  TPS16412、TPS16413、TPS16416 和 TPS16417 具有有源电流限制 (ILIM)
      5. 7.3.5  使用 TPS16410、TPS16411、TPS16414 和 TPS16415 的有源功率限制 (PLIM)
        1. 7.3.5.1 TPS16410 和 TPS16411 的内部电流限制
      6. 7.3.6  针对瞬态负载的过流保护 (IOCP) 和消隐时间(IDLY 或 PDLY)
      7. 7.3.7  快速跳变和短路保护
      8. 7.3.8  IOCP 引脚上的模拟负载电流监测器 (IMON)
      9. 7.3.9  IN 到 OUT 短路检测(TPS16410、TPS16411、TPS16412、TPS16413)
      10. 7.3.10 热关断和过热保护
      11. 7.3.11 故障响应和指示 (FLT)
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用:低功耗电路 (LPC) 的 15W 功率限制
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设置过压设定点
        2. 8.2.2.2 设置输出过流设定点 (IOCP)
        3. 8.2.2.3 设置输出功率限制
        4. 8.2.2.4 监控输出电流
        5. 8.2.2.5 限制浪涌电流和设置输出压摆率
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
      1. 8.3.1 DC/DC 或反激式转换器输出端的精确功率或电流限制
    4. 8.4 最佳设计实践
    5. 8.5 电源相关建议
      1. 8.5.1 瞬态保护
    6. 8.6 布局
      1. 8.6.1 布局指南
      2. 8.6.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

布局指南

  • 确保高电流电源路径连接尽可能短,并且其大小必须能够承载至少两倍的满负载电流。
  • 必须在 IC 的终端处,将 GND (PowerPAD) 引脚连接至 PCB 接地平面,且迹线尽可能短。PCB 接地必须是电路板上的一个铜层或铜岛。TI 建议为电子保险丝留出一个单独的接地平面岛。该平面不承载任何高电流,并用作电子保险丝的所有关键模拟信号的静态接地基准。使用星型连接将器件接地平面连接至系统电源接地平面。
  • 去耦电容器 (CIN) 的最优放置位置是紧靠器件的 IN 引脚和 GND 引脚的位置。请注意,应尽可能缩减由旁路电容器连接、IN 引脚和 IC 的 GND 引脚组成的环路面积。
  • 将以下支持元件放置在靠近连接引脚的位置:
    • RILM 或 RPLM
    • RIOCP
    • CDLY
    • CdVdT
    • OVP 的电阻器
  • 采用最短的走线将元件另一端连接至器件的 GND 引脚。为了减少对电流限制、过流消隐间隔和软启动时间的寄生效应,应使将这些元件连接该器件的布线尽可能短。
  • 由于 ILM 引脚上的偏置电流直接控制器件的过流保护行为,因此这些节点的 PCB 布线必须远离任何噪声(开关)信号。
  • 将保护器件(如 TVS、缓冲器、电容器或二极管)放置在紧靠保护器件要保护的器件的物理位置。使用短走线布线这些保护器件以减小电感。例如,TI 建议使用保护肖特基二极管来解决由于电感负载切换引起的负瞬变。TI 建议在 OUT 和 GND 之间添加一个 1μF 或更大的陶瓷去耦电容器 (COUT)。这些元件必须放置在靠近 OUT 引脚的位置。请注意,应尽可能缩减由肖特基二极管和旁路电容器连接、OUT 引脚和 IC 的 GND 引脚组成的环路面积。