ZHCSPK6A december 2021 – august 2022 TMP9R00-SP
PRODUCTION DATA
8.2.1 设计要求
TMP9R00-SP 器件旨在与内置于处理器芯片、现场可编程门阵列 (FPGA) 和应用特定集成电路 (ASIC) 中的分立式晶体管或基板晶体管配合使用。只要将基极-发射极结作为远程温度传感器，就可以使用 NPN 或 PNP 晶体管。NPN 晶体管必须连接二极管，PNP 晶体管可以连接晶体管或二极管。请参阅图 8-2 了解配置选项。
远程温度传感器读数误差通常是由于 TMP9R00-SP 器件使用的理想因数（η 因数）和电流激励，与制造商针对给定晶体管指定的工作电流共同作用的结果。一些制造商为温度检测基板晶体管指定了高电平和低电平电流。TMP9R00-SP 对于 ILOW 使用 7.5μA（典型值），对于 IHIGH 使用 120μA（典型值）。
理想因数（η 因数）是与理想二极管相比得出的远程温度传感器二极管的测量特性。TMP9R00-SP 允许使用不同的 η 因数值。有关更多信息，请参阅η 因数校正寄存器。
TMP9R00-SP 器件的 η 因数值修整为 1.008。如果晶体管的理想因数与 TMP9R00-SP 器件不匹配，可使用方程式 4 计算温度误差。
要正确使用方程式 4，必须将实际温度 (°C) 转换为开尔文 (K)。
其中
- TERR = TMP9R00-SP 器件中的误差，因为 η ≠ 1.008
- η = 远程温度传感器的理想因数
- T(°C) = 实际温度
在方程式 4 中，°C 和 K 的增量程度是相同的。
在 η = 1.004 且 T(°C) = 100°C 时：
如果将分立式晶体管用作 TMP9R00-SP 器件的远程温度传感器，请根据以下标准选择晶体管，以便获得出色的精度：
- 在最高检测温度下，7.5μA 时的基极-发射极电压 > 0.25V。
- 在最低检测温度下，120μA 时的基极-发射极电压 < 0.95V。
- 基极电阻 < 100Ω。
- hFE 的变化幅度很小（50 至 150），表示对 VBE 特性的严格控制。
根据这些标准，TI 建议使用 MMBT3904 (NPN) 或 MMBT3906 (PNP) 晶体管。