ZHCSMT5O December   2004  – June 2025 TLV1117

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息（旧芯片）
    5. 5.5 热性能信息（新芯片）
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 压降电压（固定输出，新芯片）
      2. 6.3.2 折返电流限制（固定输出，新芯片）
      3. 6.3.3 欠压锁定（固定输出，新芯片）
      4. 6.3.4 热关断（固定输出，新芯片）
      5. 6.3.5 负载调节（可调节输出，新芯片）
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 器件功能模式比较（固定输出，新芯片）
      2. 6.4.2 正常运行（固定输出）
      3. 6.4.3 压降运行（固定输出，新芯片）
      4. 6.4.4 保护二极管（可调节输出，新芯片）
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 建议的电容器类型（固定版本，新芯片）
      2. 7.1.2 输入和输出电容器要求（固定输出，新芯片）
      3. 7.1.3 反向电流（固定输出、新芯片）
      4. 7.1.4 功率耗散（固定输出，新芯片）
      5. 7.1.5 估算结温（固定输出，新芯片）
    2. 7.2 典型应用（可调节输出）
      1. 7.2.1 设计要求（可调节输出）
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 详细设计过程（固定输出，新芯片）
        2. 7.2.2.2 详细设计过程（可调输出）
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • KVU|3
  • DRJ|8
  • DCY|4
  • KCS|3
  • KTT|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.6 电气特性

TJ = –40°C 至 125°C（I 版本），TJ = 0°C 至 125°C（C 版本），所有典型值均在 TJ = 25°C 条件下测得（除非另有说明）
参数(1) 测试条件(10) 最小值(4) 典型值(5) 最大值(4) 单位
VREF 基准电压 VIN – VOUT = 2V，IOUT = 10mA，TJ = 25℃ TLV1117C/I 1.238 1.25 1.262 V
VIN – VOUT = 1.4V 至 10V，IOUT = 10mA 至 800mA TLV1117C 1.225 1.25 1.27
TLV1117I 1.2 1.25 1.29
VOUT 输出电压 VIN = 3.5V，IOUT = 10mA，TJ = 25℃ TLV1117C/I-15 1.485 1.5 1.515 V
VIN = 2.9V 至 10V，IOUT = 0mA 至 800mA TLV1117C-15 1.455 1.5 1.545
TLV1117I-15 1.44 1.5 1.56
VIN = 3.8V，IOUT = 10mA，TJ = 25℃ TLV1117C/I-18 1.782 1.8 1.818
VIN = 3.2V 至 10V，IOUT = 0mA 至 800mA TLV1117C-18 1.746 1.8 1.854
TLV1117I-18 1.728 1.8 1.872
VIN = 4.5V，IOUT = 10mA，TJ = 25℃ TLV1117C/I-25 2.475 2.5 2.525
VIN = 3.9V 至 10V，IOUT = 0mA 至 800mA TLV1117C-25 2.450 2.5 2.550
TLV1117I-25 2.4 2.5 2.6
VIN = 5V，IOUT = 10mA，TJ = 25℃ TLV1117C/I-33 3.267 3.3 3.333
VIN = 4.75V 至 10V，IOUT = 0mA 至 800mA TLV1117C-33 3.235 3.3 3.365
TLV1117I-33 3.168 3.3 3.432
VIN = 7V，IOUT = 10mA，TJ = 25℃ TLV1117C/I-50 4.950 5.0 5.050
VIN = 6.5V 至 12V，IOUT = 0mA 至 800mA TLV1117C-50 4.900 5.0 5.1
TLV1117I-50 4.80 5.0 5.20
ΔVOUT(ΔVIN) 线路调整 IOUT = 10mA，VIN – VOUT = 1.5V to 13.75V TLV1117C 0.035 0.2 %
TLV1117I 0.035 0.3
IOUT = 0mA，VIN = 2.9V 至 10V TLV1117C-15 1 6 mV
TLV1117I-15 1 10 mV
IOUT = 0mA，VIN = 3.2V 至 10V TLV1117C-18 1 6
TLV1117I-18 1 10
IOUT = 0mA，VIN = 3.9V 至 10V TLV1117C-25 1 6
TLV1117I-25 1 10
IOUT = 0mA，VIN = 4.75V 至 15V TLV1117C-33 1 6
TLV1117I-33 1 10
IOUT = 0mA，VIN = 6.5V 至 15V TLV1117C-50 1 10
TLV1117I-50 1 15
ΔVOUT(ΔIOUT) 负载调整率(6) IOUT = 0mA 至 800mA，VIN = 2.9V TLV1117C-15 1 10 mV
TLV1117I-15 1 15
IOUT = 0mA 至 800mA，VIN = 3.2V TLV1117C-18 1 10
TLV1117I-18 1 15
IOUT = 0mA 至 800mA，VIN = 3.9V TLV1117C-25 1 10
TLV1117I-25 1 15
IOUT = 0mA 至 800mA，VIN = 4.75V TLV1117C-33 1 10
TLV1117I-33 1 15
IOUT = 0mA 至 800mA，VIN = 6.5V TLV1117C-50 1 15
TLV1117I-50 1 20
VIN – VOUT = 3V，10mA ≤ IOUT ≤ 800mA，TJ = 25℃ TLV1117C/I 0.2 %
VIN – VOUT = 3V，10mA ≤ IOUT ≤ 800mA TLV1117C 0.4
TLV1117I 0.5
负载调整（新芯片，固定输出） 0mA ≤ IOUT ≤ 800mA TLV1117C/I 0.5 %/A
VDO 压降电压(2) IOUT = 100mA TLV1117C 1.1 1.2 V
TLV1117I 1.1 1.3
IOUT = 500mA TLV1117C 1.15 1.25
TLV1117I 1.15 1.35
IOUT = 800mA TLV1117C 1.2 1.3
TLV1117I 1.2 1.4
压降电压（新芯片，固定输出）(8) IOUT = 100mA TLV1117C/I 0.2 0.4
IOUT = 500mA TLV1117C/I 0.5 0.8
IOUT = 800mA TLV1117C/I 0.8 1.2
ICL 输出电流限制 (3) VIN – VOUT = 5V，TJ = 25℃ TLV1117C/I 0.8 1.2 1.6 A
输出电流限制（新芯片，固定输出） VOUT = 0.9 x VOUT(NOM)，VIN = VOUT(nom) + 1.5V 或 VIN = 4.3V（以较大者为准）  1.1 1.6
ISC 短路电流限制（新芯片，固定输出） VOUT = 0V 150 250 350 mA
IMIN(LOAD)(7) 最小负载电流 VIN = 15V TLV1117C/I 1.7 5 mA
IQ 静态电流（可调节输出） VIN ≤ 15V TLV1117C 5 10 mA
TLV1117I 5 15
静态电流（旧芯片，固定输出） VIN ≤ 15V TLV1117C 5 10
静态电流（旧芯片，固定输出） TLV1117I 5 15
静态电流（新芯片，固定输出） IOUT = 0mA，VIN = 15V TLV1117C/I 65 110 µA
热调节 TA = 25°C，30ms 脉冲 TLV1117C/I 0.01 0.1 %/W
PSRR 纹波抑制 fRIPPLE = 120Hz，VIN – VOUT = 3V，VRIPPLE = 1VPP TLV1117C/I 60 75 dB
纹波抑制（新芯片，固定输出） fRIPPLE = 120Hz，VIN – VOUT = 3V，VRIPPLE = 1VPP TLV1117C/I 70 dB
IADJ ADJ 引脚电流（旧芯片） TLV1117C/I 80 120 µA
ADJ 引脚电流（新芯片） TLV1117C/I 60 120
ΔIADJ 调节引脚电流变化 VIN – VOUT = 1.4V 至 10V，IOUT= 10mA 至 800mA TLV1117C 0.2 5
µA
VIN – VOUT = 1.4V 至 10V，IOUT= 10mA 至 800mA TLV1117I 0.2 10
温度稳定性 TJ = 全范围 0.5 %
长期稳定性 1000 小时，空载，TA = 125℃ 0.3 %
Vn RMS 输出噪声（旧芯片） VOUT 的百分比，f = 10Hz 至 100kHz 0.003 %
RMS 输出噪声（新芯片，可调节输出） VOUT 的百分比，f = 10Hz 至 10kHz 0.003
RMS 输出噪声（新芯片，固定输出） BW = 10Hz 至 100kHz，VIN = 3.3V，VOUT = 0.8V，IOUT = 100mA 60 µVRMS
IPULLDOWN 输出下拉电流（新芯片，固定输出）(9) VIN = 1.8V，VOUT = 2.5V 0.7 1.1 mA
VUVLO+ UVLO 阈值上升（新芯片，固定输出） VIN 上升 2.2 2.4 V
VUVLO- UVLO 阈值下降（新芯片，固定输出） VIN 下降 1.9 V
VUVLO(HYS) UVLO 迟滞（新芯片，固定输出） 130 mV
TSD(shutdown) 热关断温度（新芯片，固定输出） 温度升高 180 °C
TSD(reset) 热关断复位温度（新芯片，固定输出） 温度下降 160 °C
(1) 仅对于旧芯片：在输入端使用 10μF 电容器并在输出端使用 10μF 电容器测量所有特性。使用脉冲测试技术来保持结温尽可能接近环境温度。
(2) 压降定义为当 VOUT 下降至比 VOUT 的值低 100mV 时 VIN 至 VOUT 的差分电压，在 VIN = VOUT(nom) + 1.5V 时测得。
(3) 建议运行条件下指定的电流限制测试。
(4) 仅对于新芯片，可调节输出：所有限值均根据测试或统计分析指定。
(5) 仅对于新芯片，可调节输出：典型值表示最可能的参数标准。
(6) 仅对于新芯片，可调节输出：负载调整率和线性调整率是在室内恒定结温下测得的。
(7) 维持稳压所需的最小输出电流。
(8) 对于固定输出器件，VDO 是在 VIN = 95% x VOUT(nom) 下测得的。当 VOUT < 2.5V 时，对于固定输出器件，不会测量 VDO。
(9) IPULLDOWN 是在 VIN = 1.8V（低于 UVLO 下降阈值且 LDO 处于禁用状态）以及从外部向 VOUT 施加 2.5V 电压的情况下测得的。
(10) 如果器件名称 (TLV1117C/I) 列未捕获 VOUT 电平，则该特定规范对可调和固定输出器件均有效。