ZHCSUM8J September   2008  – August 2025 TL720M05-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性（仅适用于 KVU 封装）
    6. 5.6 电气特性（仅适用于 KTT 封装）
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 欠压锁定
      2. 7.3.2 热关断
      3. 7.3.3 电流限值
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正常运行
      2. 7.4.2 压降运行
      3. 7.4.3 禁用
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 输入和输出电容器选择
        1. 8.1.1.1 旧芯片电容器选择
        2. 8.1.1.2 新芯片输出电容器
        3. 8.1.1.3 新芯片输入电容器
      2. 8.1.2 压降电压
      3. 8.1.3 反向电流
      4. 8.1.4 功率耗散 (PD)
        1. 8.1.4.1 热性能与铜面积
        2. 8.1.4.2 功率耗散与环境温度之间的关系
      5. 8.1.5 估算结温
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 输入电容器
        2. 8.2.2.2 输出电容器
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 评估模块
      2. 9.1.2 器件命名规则
      3. 9.1.3 开发支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • KVU|3
  • PWP|20
  • KTT|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性（仅适用于 KVU 封装）

规定条件如下（除非另有说明）：TJ = –40°C 至 +150°C，VIN = 13.5V，IOUT = 0mA，COUT = 2.2µF，1mΩ < COUT ESR < 2Ω，以及 CIN = 1µF；典型值条件为 TJ = 25°C。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VOUT 经稳压的输出（旧芯片） VIN = 6V 至 28V，IOUT = 5mA 至 400mA 4.9 5.0 5.1 V
VIN = 6V 至 40V，IOUT = 5mA 至 400mA 4.9 5.0 5.1
经稳压的输出（新芯片） VIN – VOUT = 1V 至 40V，IOUT= 100µA 至 450mA，TJ = 25ºC(1) -0.85 0.85 %
VIN – VOUT = 1V 至 40V，IOUT= 100µA 至 500mA，TJ = 25ºC(1) -0.85 0.85
VIN = VOUT + 1V 至 40V，IOUT = 100µA 至 450mA(1) -1.15 1.15
VIN = VOUT + 1V 至 40V，IOUT = 100µA 至 500mA(1) -1.15 1.15
ΔVOUT(ΔIOUT) 负载调整（旧芯片） IOUT = 5mA 至 400mA 15 30 mV
负载调整（新芯片） VIN = VOUT + 1V，IOUT = 100µA 至 450mA 0.425 %
ΔVOUT(ΔVIN) 线路调整（旧芯片） VIN = 8V 至 32V，IOUT = 5mA -15 5 15 mV
线路调整（新芯片） VIN = VOUT + 1V 至 40V，IOUT = 100µA 0.2 %
ΔVOUT 负载瞬态响应设置时间（新芯片）(2) tR = tF = 1µs；COUT = 10µF 100 µs
ΔVOUT 负载瞬态响应过冲/下冲（针对新芯片）(2) tR = tF = 1µs；COUT = 10µF IOUT = 150mA 至 350mA -2% %VOUT
IOUT = 350mA 至 150mA 10%
IOUT = 0mA 至 500mA -10%
IQ 静态电流（旧芯片）
IQ = IIN – IOUT		 IOUT = 1mA TJ = 25ºC 100 220 µA
TJ ≤ 85ºC 100 220
IOUT = 250mA 5 10 mA
IOUT = 400mA 12 22
静态电流（新芯片）： VIN = VOUT + 1V 至 40V，IOUT = 0mA，TJ = 25ºC(3) 17 21 µA
VIN = VOUT + 1V 至 40V，IOUT = 0mA(3) 26
IOUT = 500µA 35
VDO 压降（旧芯片） IOUT = 300mA 250 500 mV
压降（新芯片） IOUT ≤ 1mA，VIN = VOUT(NOM) × 0.95 46
IOUT = 315mA，VIN = VOUT(NOM) 275 400
IOUT = 450mA，VIN = VOUT(NOM) 360 525
IOUT = 500mA，VIN = VOUT(NOM) 390 575
VUVLO(RISING) 上升输入电源 UVLO（新芯片） VIN 上升 2.6 2.7 2.82 V
VUVLO(FALLING) 下降输入电源 UVLO（新芯片） VIN 下降 2.38 2.5 2.6 V
VUVLO(HYST) V UVLO(IN) 迟滞（新芯片） 230 mV
ICL 输出电流限制（旧芯片） VIN = VOUT + 1V，VOUT 短接至 90% × VOUT(NOM) 450 700 950 mA
输出电流限制（新芯片） VIN = VOUT + 1V，VOUT 短接至 90% × VOUT(NOM) 540 780
PSRR 电源抑制比（旧芯片） VIN - VOUT = 1V，频率 = 100Hz，Vr = 0.5Vpp，IOUT = 450mA 60 dB
电源抑制比（新芯片） VIN - VOUT = 1V，频率 = 1kHz，IOUT = 450mA 70
TJ 结温 -40 150 °C
TSD(SHUTDOWN) 结关断温度（新芯片） 175
TSD(HYST) 热关断迟滞（新芯片） 20
ΔVOUT/ΔT 温度输出电压漂移（旧芯片） 0.5 mV/K
(1) 出于器件生产测试的目的，功率耗散限制为 2W。正常工作期间的功率耗散可能更高。如需进一步了解将结温保持在 150℃ 以下时器件可以耗散多少功率，请参阅节 8.1.4.1。
(2) 根据设计确定。
(3) 对于可调输出，要在单位增益中进行测试，不包括电阻器电流。