ZHCSVD3E December   2003  – March 2024 SN65MLVD200A , SN65MLVD202A , SN65MLVD204A , SN65MLVD205A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性
    6. 6.6  电气特性 - 驱动器
    7. 6.7  电气特性 - 接收器
    8. 6.8  电气特性 - 总线输入和输出
    9. 6.9  开关特性 - 驱动器
    10. 6.10 开关特性 - 接收器
    11. 6.11 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 上电复位
      2. 8.3.2 ESD 保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 器件功能表
      2. 8.4.2 等效输入和输出原理图
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1  电源电压
        2. 9.2.2.2  电源旁路电容
        3. 9.2.2.3  驱动器输入电压
        4. 9.2.2.4  驱动器输出电压
        5. 9.2.2.5  端接电阻器
        6. 9.2.2.6  接收器输入信号
        7. 9.2.2.7  接收器输入阈值（失效防护）
        8. 9.2.2.8  接收器输出信号
        9. 9.2.2.9  介质互连
        10. 9.2.2.10 PCB 传输线路
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 微带与带状线拓扑
      2. 11.1.2 电介质类型和电路板结构
      3. 11.1.3 建议的堆叠布局
      4. 11.1.4 引线间距
      5. 11.1.5 尽可能减少串扰和接地抖动
      6. 11.1.6 去耦合
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11.1.6 去耦合

高速器件的每个电源或接地引线都必须通过低电感路径连接到 PCB。为了获得更好的结果，使用一个或多个过孔将电源或接地引脚连接到附近的平面。理想情况下，过孔放置在与引脚紧邻的位置，以避免增加布线电感。电源平面放置在更靠近电路板顶部的位置可减少有效过孔长度及其相关电感。

SN65MLVD200A SN65MLVD202A SN65MLVD204A SN65MLVD205A 低电感、高电容电源连接图 11-6 低电感、高电容电源连接

旁路电容器必须靠近 VDD 引脚放置，并可方便地放置在角落附近或封装下方，从而更大限度地减小环路面积。这扩展了添加的电容的有用频率范围。必须使用小尺寸电容器（例如 0402、0201 或 X7R 表面贴装电容器）来尽可能减小电容器的封装电感。每个旁路电容器通过与电容器焊盘相切的过孔连接到电源平面和接地平面，如图 11-7(a) 所示。

尺寸为 0402 的 X7R 表面贴装电容器具有大约 0.5nH 的体电感。在高于 30MHz 左右的频率下，X7R 电容器充当低阻抗电感器。为了将工作频率范围扩展到几百 MHz，通常并联使用一系列不同的电容器值，例如 100pF、1nF、0.03µF 和 0.1µF。最有效的旁路电容器可使用夹在电源和接地之间的 2mil 至 3mil 隔层来构建。使用 2mil FR4 电介质时，PCB 的每平方英寸约为 500pF。

许多高速器件在封装的背面提供低电感 GND 连接。此中心焊盘必须通过一组通孔连接到接地平面。过孔阵列可降低接地的有效电感，并提高小表面贴装技术 (SMT) 封装的热性能。在焊盘连接的外围布置过孔，可确保适当散热和尽可能低的芯片温度。使用两个 GND 平面（如图 9-4 所示）将高性能器件放置在 PCB 的对侧，可以创建多条热传递路径。

热 PCB 问题通常是一个器件向另一个器件增加热量导致的，从而导致非常高的局部温度。多条热传递路径可更大限度地降低这种可能性。在许多情况下，由于焊盘与焊盘之间的间距不足，对散热如此重要的 GND 焊盘无法实现最佳去耦布局，如图 11-8(b) 所示。发生这种情况时，将去耦电容器放置在电路板的背面可将额外的电感保持在较低水平。

务必将 VDD 过孔尽可能靠近器件引脚放置，同时仍能提供足够的阻焊层覆盖区域。如果过孔保持打开，焊料可能从焊盘流入过孔套管，这会导致焊接连接不佳

SN65MLVD200A SN65MLVD202A SN65MLVD204A SN65MLVD205A 典型去耦电容器布局 (a)图 11-7 典型去耦电容器布局 (a)
SN65MLVD200A SN65MLVD202A SN65MLVD204A SN65MLVD205A 典型去耦电容器布局 (b)图 11-8 典型去耦电容器布局 (b)