ZHCSND6A March 2022 – June 2022 SN6507
PRODUCTION DATA
图 8-2 展示了推挽式转换器的理想磁化曲线,其中 B 为磁通密度,H 为磁场强度。当 Q1 导通时,磁通量被从 A 推至 A',当 Q2 导通时,磁通量被从 A' 拉回至 A。磁通量差和磁通密度差与初级电压 VP 和时间 tON 之积成正比,这适用于初级侧:B ≈ VP × tON。
该伏秒 (V-t) 乘积很重要,因为它决定了每个开关周期中的磁芯磁化强度。如果两个相位的 V-t 乘积不相同,则磁通密度摆动不平衡会导致偏离 B-H 曲线的原点。如果没有恢复平衡,则偏移在每个后续周期中都会增加,并且变压器会缓慢地向饱和区域移动。
幸运的是,由于 MOSFET 的导通电阻具有正温度系数,因此 SN6507 的输出 FET 对 V-t 不平衡具有自校正作用。在导通时间稍长的情况下,流过 FET 的持久电流会逐渐对晶体管进行加热,从而导致 RDS-on 增加。然后,较高的电阻会导致漏源电压 VDS 上升。由于初级电压是恒定输入电压 VIN 与 MOSFET 上的电压降 VP = VIN – VDS 之间的差值,因此 VP 会逐渐降低,V-t 平衡会恢复。