ZHCSX30 September   2024 RES60A-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 比例匹配
      2. 6.3.2 超低噪声
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 电池组测量
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 8.1.1.2 TINA-TI™ 仿真软件（免费下载）
        3. 8.1.1.3 TI 参考设计
        4. 8.1.1.4 模拟滤波器设计器
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DWV|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.2 超低噪声

电阻中的噪声可在两个单独的区域中进行评估：低频闪烁噪声和宽带热噪声。对于需要频率低于 100Hz 的信号增益的系统，闪烁（或 1/f 噪声）非常重要。薄膜电阻器（包括 RES60A-Q1）的闪烁噪声低于厚膜电阻器工艺的闪烁噪声。在大于 1kHz 的区域中，通常以热噪声为主，该噪声会随着电阻幅度的增加而增加。噪声被建模为与电阻串联的电压源。

对于 RES60A-Q1 等电阻分压器，在 RHV 和 RLV 两个电阻器的中心抽头位置测量的热噪声等同于值为 RHV || RLV 的电阻器的热噪声：

方程式 6. e N = 4 k B T R

其中：

  • eN 是以 nV/√Hz 为单位的热噪声密度
  • T 是以开尔文 (K) 为单位的绝对温度
  • kB 是玻尔兹曼常数 1.381 × 10-23J/K
  • R = RHV || RLV

RHV >> RLV；因此 R ≈ RLV。例如，对于 RES60A610-Q1：

方程式 7. e N = 4 k B T R = 4 × 1.38 E - 23 J K × 278 K × 12.5 M Ω   ∥   20.49 k Ω = 18 n V / H z