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ZHCSX30 September 2024 RES60A-Q1

ADVANCE INFORMATION

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

DWV|8

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsx30_oa

6.3.1 比例匹配

RES60A-Q1 的电阻器通过以下两个公式来描述：

方程式 1.

R_{HV} = R_{HVnom} \times (1± t_{abs}) = R_{HVnom} \times (1± t_{RHV}) \times (1± t_{SiCr})

方程式 2.

R_{LV} = R_{LVnom} \times (1± t_{RLV}) \times (1± t_{SiCr})

其中

R_HVnom 和 R_LVnom 是每个电阻器的标称值。
t_abs 是误差项，用于描述 RES60A-Q1 的电阻器的绝对容差，使得 |t_abs| ≤ 15%。
t_SiCr 是晶圆的 SiCr 电阻率变化，决定了给定电阻器的绝对容差。给定 RES60A-Q1 的两个电阻器呈叉指状，并且来自相同的晶圆区域；因此，t_SiCr 对于两个电阻器而言实际上是相同的，但 t_SiCr 因器件而异。当从比例角度考虑分压器时，这些误差项会消失；请参阅以下公式。
t_RHV 和 t_RLV 是针对每个电阻器的局部变化或失调电压误差项。这些项描述了给定 RES60A-Q1 器件在考虑通用 t_SiCr 后相应电阻器的剩余有效容差。

方程式 3.

\frac{R_{HV}}{R_{LV}} = \frac{R_{HVnom} \times (1± t_{RHV}) \times (1± t_{SiCr})}{R_{LVnom} \times (1± t_{RLV}) \times (1± t_{SiCr})} = \frac{R_{HVnom} \times (1± t_{RHV})}{R_{LVnom} \times (1± t_{RLV})} = G_{nom} \times \frac{(1± t_{RHV})}{(1± t_{RLV})} = G

方程式 4.

\frac{R_{HV}}{R_{LV} + R_{HV}} = \frac{R_{HVnom} \times (1± t_{RHV}) \times (1± t_{SiCr})}{R_{LVnom} \times (1± t_{RLV}) \times (1± t_{SiCr}) + R_{HVnom} \times (1± t_{RHV}) \times (1± t_{SiCr})} = \frac{R_{HVnom} \times (1± t_{RHV})}{R_{LVnom} \times (1± t_{RLV}) + R_{HVnom} \times (1± t_{RHV})}

RES60A-Q1 的规定最大初始分压器分压比容差为 0.1%，这意味着对于给定的分压器，实际分压器分压比 G 和标称分压器分压比 G_nom 之间的关系描述如下：

方程式 5.

G = G_{nom} \times (1± t_{D})

使得 t_D ≤ 0.1%。由于在最终测试阶段时会筛除所有不符合这些标准的器件，因此这些公式可以与前面的公式一起用来证明 t_RHV 和 t_RLV 的有效界限。因此，尽管器件的绝对端到端容差界限为 ±15%，但每个电阻器的有效误差容差（对于比率应用）大约在 ±0.05% 范围内（最坏情况 t_RHV 和 t_RlV）。